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1. (WO2013111420) METHOD FOR PROCESSING BASE BODY TO BE PROCESSED
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/111420    International Application No.:    PCT/JP2012/079140
Publication Date: 01.08.2013 International Filing Date: 09.11.2012
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1 Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP)
Inventors: INOUE Masaki; (US).
OZU Toshihisa; (KR).
TANIKAWA Takehiro; (JP).
YOSHIKAWA Jun; (JP)
Agent: HASEGAWA Yoshiki; SOEI PATENT AND LAW FIRM, Marunouchi MY PLAZA (Meiji Yasuda Life Bldg.) 9th fl., 1-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Priority Data:
2012-013360 25.01.2012 JP
Title (EN) METHOD FOR PROCESSING BASE BODY TO BE PROCESSED
(FR) PROCÉDÉ POUR TRAITER CORPS DE BASE DESTINÉ À ÊTRE TRAITÉ
(JA) 被処理基体の処理方法
Abstract: front page image
(EN)One embodiment of the present invention provides a method for etching a second layer of a base body to be processed, said base body having exposed from the surface thereof a first layer containing Ni and Si, and the second layer containing Si and N. The method of the one embodiment includes: (a) a step wherein a base body to be processed is prepared in a processing chamber; and (b) a step wherein a first processing gas, which contains carbon and fluorine but not containing oxygen, is supplied to the inside of the processing chamber, and plasma is generated in the processing chamber.
(FR)La présente invention concerne un procédé pour graver une seconde couche d'un corps de base destiné à être traité, ledit corps de base comportant, exposée à partir de sa surface, une première couche qui contient Ni et Si, et la seconde couche qui contient Si et N. Le procédé de la présente invention comprend : (a) une étape dans laquelle un corps de base destiné à être traité est préparé dans une chambre de traitement ; et (b) une étape dans laquelle un premier gaz de traitement, qui contient du carbone et du fluor mais ne contient pas d'oxygène, est fourni à l'intérieur de la chambre de traitement, et du plasma est produit dans la chambre de traitement.
(JA) 一実施形態では、表面にNi及びSiを含む第1の層と、Si及びNを含む第2の層とが露出した被処理基体において、第2の層をエッチングする方法を提供する。一実施形態の方法は、(a)被処理基体を処理容器内において準備する工程と、(b)処理容器内に炭素及びフッ素を含み酸素を含まない第1の処理ガスを供給し、当該処理容器内においてプラズマを発生させる工程と、を含む。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)