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1. (WO2013111418) SOLID-STATE IMAGING ELEMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/111418    International Application No.:    PCT/JP2012/078977
Publication Date: 01.08.2013 International Filing Date: 08.11.2012
IPC:
H01L 27/14 (2006.01), H01L 31/10 (2006.01), H04N 5/361 (2011.01), H04N 5/367 (2011.01), H04N 5/372 (2011.01), H04N 5/374 (2011.01)
Applicants: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (For All Designated States Except US).
FUNAO, Daisuke [JP/--]; (US only)
Inventors: FUNAO, Daisuke;
Agent: MASAKI Yoshifumi; Yodoyabashi NAO Bldg. 7F, 3-6, Imabashi 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410042 (JP)
Priority Data:
2012-014891 27.01.2012 JP
Title (EN) SOLID-STATE IMAGING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 固体撮像素子
Abstract: front page image
(EN)Provided is a solid-state imaging element, wherein dark current and white-spot defective pixels generated due to stress induced on a substrate are inhibited, and high-sensitivity is achieved. The solid-state imaging element (1) is provided with: a substrate (10) that comprises silicon, has formed therein a photoelectric conversion section (11) for photoelectrically converting light entering from a first face (101) thereof, and has circuit members (121) for driving the photoelectric conversion section (11) provided on a second face (102) thereof; a first transparent insulation film (14) that is formed above the first face (101) of the substrate (10), and that comprises silicon nitride or silicon oxynitride; a second transparent insulation film (15) that is formed above the first transparent insulation film (14), that comprises silicon oxide or silicon oxynitride having a greater composition proportion of oxygen than nitrogen, and that has a composition different from that of the first transparent insulation film (14); and a third transparent insulation film (16) that is formed above the second transparent insulation film (15), that comprises silicon nitride or silicon oxynitride, and that has a composition different from that of the second transparent insulation film (15).
(FR)L'invention concerne un élément d'imagerie à semi-conducteurs dans lequel sont inhibés le courant d'obscurité et des pixels défectueux de point blanc générés par une contrainte créée sur un substrat, ce qui donne une grande sensibilité. L'élément d'imagerie à semi-conducteurs (1) présente: un substrat (10) comprenant du silicium et dans lequel est formée une section de conversion photoélectrique (11) destinée à convertir de manière photoélectrique la lumière qui y pénètre par une première face (101), le substrat comprenant également des éléments de circuit (121) pour exciter la section de conversion photoélectrique (11) ménagée sur une seconde face (102) du substrat; un premier film isolant transparent (14) formé au-dessus de la première face (101) du substrat (10) et comprenant du nitrure de silicium ou de l'oxynitrure de silicium; un deuxième film isolant transparent (15) formé au-dessus du premier film isolant transparent (14) et comprenant de l'oxyde de silicium ou de l'oxynitrure de silicium dont la teneur en oxygène de la composition est supérieure à celle de l'azote, et dont la composition est différente de celle du premier film isolant transparent (14); et un troisième film isolant transparent (16) formé au-dessus du deuxième film isolant transparent (15) et comprenant du nitrure de silicium ou de l'oxynitrure de silicium, et dont la composition est différente de celle du deuxième film isolant transparent (15).
(JA) 基板に生じる応力に起因して発生する暗電流や白点欠陥画素を抑制するとともに、高感度化を図った固体撮像素子を提供する。固体撮像素子1は、シリコンから成り第1面101から入射する光を光電変換する光電変換部11が内部に形成され第2面102に光電変換部11を駆動する回路部材121が設けられる基板10と、基板10の第1面101の上方に形成され窒化シリコンまたは酸窒化シリコンから成る第1透明絶縁膜14と、第1透明絶縁膜14の上方に形成され酸化シリコンまたは窒素よりも酸素の組成比が大きい酸窒化シリコンから成るとともに第1透明絶縁膜14とは組成が異なる第2透明絶縁膜15と、第2透明絶縁膜15の上方に形成され窒化シリコンまたは酸窒化シリコンから成るとともに第2透明絶縁膜15とは組成が異なる第3透明絶縁膜16と、を備える。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)