WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2013111294) SEMICONDUCTOR DEVICE AND POWER CONVERSION APPARATUS USING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/111294    International Application No.:    PCT/JP2012/051606
Publication Date: 01.08.2013 International Filing Date: 26.01.2012
IPC:
H01L 29/861 (2006.01), H01L 21/8234 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01), H01L 27/06 (2006.01), H01L 27/088 (2006.01), H01L 29/739 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Applicants: HITACHI, LTD. [JP/JP]; 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008280 (JP) (For All Designated States Except US).
HASHIMOTO Takayuki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MASUNAGA Masahiro [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: HASHIMOTO Takayuki; (JP).
MASUNAGA Masahiro; (JP)
Agent: ISONO Michizo; c/o Isono International Patent Office, Sabo Kaikan Annex, 7-4, Hirakawa-cho 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1020093 (JP)
Priority Data:
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND POWER CONVERSION APPARATUS USING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET APPAREIL DE CONVERSION ÉLECTRIQUE L'UTILISANT
(JA) 半導体装置およびそれを用いた電力変換装置
Abstract: front page image
(EN)In order to suppress a conduction loss and a recovery loss of a semiconductor device (10), the semiconductor device (10) is provided with: an n-type drift layer (11), i.e., a semiconductor substrate; a p-type region (12) and an n-type region (13), i.e., anode regions which are provided on the front surface of the semiconductor substrate; a high-concentration n-type region (15), i.e., a cathode region which is provided on the rear surface of the semiconductor substrate; and an anode electrode (1). The front surface of the semiconductor substrate is provided with a configuration wherein the p-type region (12) and the n-type region (13) are adjacent to each other, the p-type region (12) is connected to the anode electrode (1), and the n-type region (13) is connected to the anode electrode (1) via a switch (14). A control unit (40) is connected to a control terminal of the switch (14). In a state wherein a current is carried to the semiconductor device (10), a control unit (40) outputs a high-frequency pulse to the control terminal of the switch (14) to turn on/off the switch (14).
(FR)Dans le but de supprimer une perte de conduction et une perte de récupération d'un dispositif à semi-conducteur (10), le dispositif à semi-conducteur (10) comprend : une couche de dérive de type n (11), c'est-à-dire un substrat semi-conducteur ; une région de type p (12) et une région de type n (13), c'est-à-dire des régions d'anode qui sont disposées sur la surface avant du substrat semi-conducteur ; une région de type n à haute concentration (15), c'est-à-dire une région de cathode qui est disposée sur la surface arrière du substrat semi-conducteur ; et une électrode d'anode (1). La surface avant du substrat semi-conducteur comprend une configuration dans laquelle la région de type p (12) et la région de type n (13) sont adjacentes l'une à l'autre, la région de type p (12) est connectée à l'électrode d'anode (1), et la région de type n (13) est connectée à l'électrode d'anode (1) par l'intermédiaire d'un commutateur (14). Une unité de commande (40) est connectée à une borne de commande du commutateur (14). Dans un état dans lequel le courant est transporté vers le dispositif à semi-conducteur (10), une unité de commande (40) délivre en sortie une impulsion haute fréquence vers la borne de commande du commutateur (14) pour activer/désactiver la commutation (14).
(JA)半導体装置(10)の導通損失とリカバリ損失とを抑制するため、半導体装置(10)は、半導体基板であるn型ドリフト層(11)と、半導体基板の表面に設けられたアノード領域であるp型領域(12)およびn型領域(13)と、半導体基板の裏面に設けられたカソード領域である高濃度n型領域(15)と、アノード電極(1)とを設けた。この半導体基板の表面には、p型領域(12)とn型領域(13)とが隣接した構成を備え、p型領域(12)はアノード電極(1)に接続され、n型領域(13)は、スイッチ(14)を介してアノード電極(1)に接続される。このスイッチ(14)の制御端子には、制御部(40)が接続されている。半導体装置(10)が導通状態に於いて、制御部(40)は、スイッチ(14)の制御端子に高周波数のパルスを出力し、スイッチ(14)をオン・オフさせる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)