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1. (WO2013110518) OPTICAL ARRANGEMENT FOR EUV LITHOGRAPHY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/110518    International Application No.:    PCT/EP2013/050553
Publication Date: 01.08.2013 International Filing Date: 14.01.2013
IPC:
G03F 7/20 (2006.01)
Applicants: CARL ZEISS SMT GMBH [DE/DE]; Rudolf-Eber-Strasse 2 73447 Oberkochen (DE)
Inventors: BAER, Norman; (DE).
GRUNER, Toralf; (DE).
LÖRING, Ulrich; (DE)
Agent: KOHLER SCHMID MÖBUS; Ruppmannstrasse 27 70565 Stuttgart (DE)
Priority Data:
10 2012 201 075.0 25.01.2012 DE
Title (EN) OPTICAL ARRANGEMENT FOR EUV LITHOGRAPHY
(FR) AGENCEMENT OPTIQUE POUR LITHOGRAPHIE EN ULTRAVIOLET EXTRÊME (EUV)
Abstract: front page image
(EN)The invention relates to an optical arrangement, in particular a projection lens for microlithography, comprising: at least one optical element (21) comprising an optical surface (31a) and a substrate (32), wherein the substrate (32) is formed from a material whose temperature-dependent coefficient of thermal expansion at a zero crossing temperature ΔTzc = Tzc - Tref related to a reference temperature Tref is equal to zero, wherein the optical surface (31a) has, during the operation of the optical arrangement, a location-dependent temperature distribution ΔΤ(χ, y) that is dependent on a local irradiance (5a), is related to the reference temperature Tref and has an average temperature ΔΤ, a minimum temperature ΔTmin and a maximum temperature ΔTmax, wherein the average temperature ΔΤ is less than the average value 1/2 (ΔTmax + ΔTmin) formed from the minimum temperature ΔTmin and the maximum temperature ΔTmax, and wherein the zero crossing temperature ΔTzc is greater than the average temperature ΔΤaν. The invention likewise relates to an EUV lithography apparatus comprising such an optical arrangement in the form of a projection lens, and to an associated method for configuring the optical arrangement.
(FR)La présente invention concerne un agencement optique, en particulier une lentille de projection pour microlithographie, comprenant : au moins un élément optique (21) comprenant une surface optique (31a) et un substrat (32), le substrat (32) étant formé à partir d'une matière dont le coefficient de dilatation thermique dépendant de la température à une température de passage par le point zéro ΔTzc = Tzc - Tréf associée à une température de référence Tréf est égale à zéro, la surface optique (31a) ayant, durant le fonctionnement de l'agencement optique, une distribution de température dépendant de la position ΔΤ(χ, y) qui est dépendante d'un éclairement énergétique local (5a), étant associée à la température de référence Tréf et ayant une température moyenne ΔΤ, une température minimale ΔTmin et une température maximale ΔTmax, la température moyenne ΔΤ étant inférieure à la valeur moyenne 1/2 (ΔTmax + ΔTmin) formée à partir de la température minimale ΔTmin et de la température maximale ΔTmax, et la température de passage par le point zéro ΔTzc étant supérieure à la température moyenne ΔΤ. L'invention concerne de manière similaire un appareil de lithographie en ultraviolet extrême (EUV) comprenant un tel agencement optique sous la forme d'une lentille de projection, et un procédé associé pour configurer l'agencement optique.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)