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165. (WO2013084029) SEMICONDUCTOR ELECTRODE COMPRISING A BLOCKING LAYER
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Pub. No.: WO/2013/084029 International Application No.: PCT/IB2011/055550
Publication Date: 13.06.2013 International Filing Date: 08.12.2011
IPC:
H01G 9/20 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
G
CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
9
Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
20
Light-sensitive devices
Applicants:
CHANDIRAN, Aravind, Kumar [IN/CH]; CH (UsOnly)
NAZEERUDDIN, Mohammad, Khaja [CH/CH]; CH (UsOnly)
GRAETZEL, Michael [CH/CH]; CH (UsOnly)
ECOLE POLYTECHNIQUE FEDERALE DE LAUSANNE (EPFL) [CH/CH]; EPFL-TTO, Quartier de l'innovation - J CH-1015 Lausanne, CH (AllExceptUS)
Inventors:
CHANDIRAN, Aravind, Kumar; CH
NAZEERUDDIN, Mohammad, Khaja; CH
GRAETZEL, Michael; CH
Agent:
GANGUILLET, Cyril; ABREMA Agence Brevets et Marques, Ganguillet Avenue du Théâtre 16, CP 5027 CH-1002 Lausanne, CH
Priority Data:
Title (EN) SEMICONDUCTOR ELECTRODE COMPRISING A BLOCKING LAYER
(FR) ÉLECTRODE À SEMI-CONDUCTEUR COMPRENANT UNE COUCHE DE BLOCAGE
Abstract:
(EN) The present invention provides a porous semiconductor electrode passivated by way of a layer applied by an atomic layer deposition (ALD) process. The semiconductor electrode can be advantageously used in dye-sensitized solar cells (DSCs) having increase open current voltages (Voc). By selecting the thickness and the material of the passivating or blocking layer, high Voc without substantial reduction of short circuit current (JSC) is achieved, thereby resulting in devices exhibiting excellent power conversion efficiencies.
(FR) La présente invention concerne une électrode poreuse à semi-conducteur passivée au moyen d'une couche appliquée par un procédé de dépôt par couche atomique (ALD). L'électrode à semi-conducteur peut être utilisée de manière avantageuse dans des photopiles à colorant (DSC) présentant une augmentation des tensions de courant en circuit ouvert (Voc). Le fait de sélectionner l'épaisseur et le matériau de la couche de passivation ou de blocage permet d'obtenir une Voc élevée sans réduction sensible du courant de court-circuit (JSC), ce qui a pour effet que les dispositifs présentent d'excellentes efficacités de conversion de courant.
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Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)