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1. (WO2013059457) DIRECT FORMATION OF GRAPHENE ON SEMICONDUCTOR SUBSTRATES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/059457    International Application No.:    PCT/US2012/060810
Publication Date: 25.04.2013 International Filing Date: 18.10.2012
IPC:
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01)
Applicants: MEMC ELECTRONIC MATERIALS, INC. [US/US]; 501 Pearl Drive St. Peters, Missouri 63376 (US).
KANSAS STATE UNIVERSITY RESEARCH FOUNDATION [US/US]; 2005 Research Park Circle Suite 105 Manhattan, Kansas 66502-5020 (US)
Inventors: SEACRIST, Michael R.; (US).
BERRY, Vikas; (US)
Agent: SCHUTH, Richard A.; Armstrong Teasdale LLP 7700 Forsyth Blvd. Suite 1800 St. Louis, Missouri 63105 (US)
Priority Data:
61/548,899 19.10.2011 US
Title (EN) DIRECT FORMATION OF GRAPHENE ON SEMICONDUCTOR SUBSTRATES
(FR) FORMATION DIRECTE DE GRAPHÈNE SUR DES SUBSTRATS SEMI-CONDUCTEURS
Abstract: front page image
(EN)The invention generally related to a method for preparing a layer of graphene directly on the surface of a semiconductor substrate. The method includes forming a carbon-containing layer on a front surface of a semiconductor substrate and depositing a metal film on the carbon layer. A thermal cycle degrades the carbon-containing layer, which forms graphene directly upon the semiconductor substrate upon cooling. In some embodiments, the carbon source is a carbon-containing gas, and the thermal cycle causes diffusion of carbon atoms into the metal film, which, upon cooling, segregate and precipitate into a layer of graphene directly on the semiconductor substrate.
(FR)La présente invention concerne de manière générale un procédé de préparation d'une couche de graphène directement sur la surface d'un substrat semi-conducteur. Le procédé comprend une étape consistant à former une couche contenant du carbone sur une surface avant d'un substrat semi-conducteur, et une étape consistant à déposer un film métallique sur la couche de carbone. La couche contenant du carbone est dégradée au cours d'un cycle thermique, ce qui permet la formation de graphène directement sur le substrat semi-conducteur par refroidissement. Dans certains modes de réalisation, la source de carbone consiste en un gaz contenant du carbone, et le cycle thermique provoque la diffusion des atomes de carbone dans le film métallique, lesquels, en se refroidissant, se séparent et précipitent en une couche de graphène directement sur le substrat semi-conducteur.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)