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1. (WO2013059094) ELECTRON BEAM PLASMA SOURCE WITH ARRAYED PLASMA SOURCES FOR UNIFORM PLASMA GENERATION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/059094    International Application No.:    PCT/US2012/060031
Publication Date: 25.04.2013 International Filing Date: 12.10.2012
IPC:
H05H 1/24 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054 (US) (For All Designated States Except US).
DORF, Leonid [RU/US]; (US) (US only).
RAUF, Shahid [US/US]; (US) (US only).
COLLINS, Kenneth S. [US/US]; (US) (US only).
MISRA, Nipun [IN/US]; (US) (US only).
CARDUCCI, James D. [US/US]; (US) (US only).
LERAY, Gary [FR/US]; (US) (US only).
RAMASWAMY, Kartik [US/US]; (US) (US only)
Inventors: DORF, Leonid; (US).
RAUF, Shahid; (US).
COLLINS, Kenneth S.; (US).
MISRA, Nipun; (US).
CARDUCCI, James D.; (US).
LERAY, Gary; (US).
RAMASWAMY, Kartik; (US)
Agent: WALLACE, Robert M.; Law Office of Robert M. Wallace 2112 Eastman Avenue, Suite 102 Ventura, CA 93003 (US)
Priority Data:
61/549,340 20.10.2011 US
13/595,201 27.08.2012 US
Title (EN) ELECTRON BEAM PLASMA SOURCE WITH ARRAYED PLASMA SOURCES FOR UNIFORM PLASMA GENERATION
(FR) SOURCE DE PLASMA À FAISCEAU D'ÉLECTRONS COMPRENANT DES SOURCES DE PLASMA EN RÉSEAU POUR UNE PRODUCTION DE PLASMA UNIFORME
Abstract: front page image
(EN)A plasma reactor that generates plasma in a workpiece processing chamber by an electron beam, has an electron beam source chamber and an array of plasma sources facing the electron beam source chamber for affecting plasma electron density in different portions of the processing chamber. In another embodiment, an array of separately controlled electron beam source chambers is provided.
(FR)Selon l'invention, un réacteur à plasma qui produit du plasma dans une chambre de traitement de pièce, par un faisceau d'électrons, présente une chambre source de faisceaux d'électrons et un réseau de sources de plasma qui fait face à la chambre source de faisceaux d'électrons afin d'agir sur la densité d'électrons du plasma dans différentes parties de la chambre de traitement. Dans un autre mode de réalisation, l'invention a trait à un réseau de chambres sources de faisceaux d'électrons commandées séparément.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)