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1. (WO2013058917) MEMORY CELLS AND MEMORY CELL ARRAYS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/058917    International Application No.:    PCT/US2012/055928
Publication Date: 25.04.2013 International Filing Date: 18.09.2012
IPC:
H01L 27/115 (2006.01), H01L 21/8247 (2006.01)
Applicants: MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 South Federal Way Boise, ID 83716 (US)
Inventors: SILLS, Scott, E.; (US).
SANDHU, Gurtej, S.; (US).
TANG, Sanh, D.; (US).
SMYTHE, John; (US)
Agent: MATKIN, Mark, S.; Wells St. John P.S. 601 West First Avenue Suite 1300 Spokane, WA 99201 (US)
Priority Data:
13/275,168 17.10.2011 US
Title (EN) MEMORY CELLS AND MEMORY CELL ARRAYS
(FR) CELLULES DE MÉMOIRE ET MATRICES DE CELLULES DE MÉMOIRE
Abstract: front page image
(EN)Some embodiments include memory cells. The memory cells may have a first electrode, and a trench-shaped programmable material structure over the first electrode. The trench-shape defines an opening. The programmable material may be configured to reversibly retain a conductive bridge. The memory cell may have an ion source material directly against the programmable material, and may have a second electrode within the opening defined by the trench-shaped programmable material. Some embodiments include arrays of memory cells. The arrays may have first electrically conductive lines, and trench-shaped programmable material structures over the first lines. The trench- shaped structures may define openings within them. Ion source material may be directly against the programmable material, and second electrically conductive lines may be over the ion source material and within the openings defined by the trench-shaped structures.
(FR)Certains modes de réalisation de l'invention portent sur des cellules de mémoire. Les cellules de mémoire peuvent comprendre une première électrode, et une structure de matériau programmable en forme de tranchée sur la première électrode. La forme de tranchée délimite une ouverture. Le matériau programmable peut être configuré pour retenir d'une manière réversible un pont conducteur. La cellule de mémoire peut comprendre un matériau source d'ions directement contre le matériau programmable, et peut comprendre une seconde électrode à l'intérieur de l'ouverture délimitée par le matériau programmable en forme de tranchée. Certains modes de réalisation comprennent des matrices de cellules de mémoire. Les matrices peuvent comprendre des premières lignes électro-conductrices, et des structures de matériau programmables en forme de tranchée sur les premières lignes. Les structures en forme de tranchée peuvent délimiter des ouvertures en leur sein. Un matériau source d'ions peut se trouver directement contre le matériau programmable ; et des secondes lignes électro-conductrices peuvent se trouver au-dessus du matériau source d'ions et à l'intérieur des ouvertures délimitées par les structures en forme de tranchée.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)