(EN) Provided is a method for analyzing, in the depth direction, a polymeric thin-film structure which comprises two or more polymer compounds, the method comprising labeling at least one of the polymer compounds with a stable isotope and repeating the step of subjecting the structure including the polymer compound labeled with a stable isotope to sputtering with sputtering ions along the depth direction thereof and the step of acquiring a mass spectrum of secondary ions including the stable isotope by means of time-of-flight secondary ion mass spectroscopy, thereby obtaining a depth profile of fragments including the stable isotope. Also provided is a method for analyzing an organic film in the depth direction, the method comprising forming an electroconductive carbon coating layer on the surface of the organic film and repeating the step of subjecting the carbon-coated organic film to sputtering with sputtering ions along the depth direction thereof and the step of acquiring a mass spectrum of secondary ions of a substance to be analyzed which is contained in the organic film, by means of time-of-flight secondary ion mass spectroscopy, thereby obtaining a depth profile of the substance to be analyzed.
(FR) L'invention concerne un procédé d'analyse, dans le sens de la profondeur, d'une structure à film mince polymérique qui comporte au moins deux composés polymériques, le procédé comportant les étapes consistant à marquer au moins un des composés polymériques à l'aide d'un isotope stable et à répéter l'étape consistant à soumettre la structure comprenant le composé polymérique marqué à l'aide d'un isotope stable à une projection à l'aide d'ions de projection dans le sens de sa profondeur et l'étape consistant à acquérir un spectre de masse d'ions secondaires comprenant l'isotope stable par spectrométrie de masse à ionisation secondaire à temps de vol, obtenant ainsi un profil de profondeur de fragments comprenant l'isotope stable. L'invention concerne également un procédé d'analyse d'un film organique dans le sens de la profondeur, le procédé comportant les étapes consistant à former une couche de revêtement en carbone conduisant l'électricité sur la surface du film organique et à répéter l'étape consistant à soumettre le film organique revêtu de carbone à une projection à l'aide d'ions de projection dans le sens de sa profondeur et l'étape consistant à acquérir un spectre de masse d'ions secondaires d'une substance à analyser qui est contenue dans le film organique, par spectrométrie de masse à ionisation secondaire à temps de vol, obtenant ainsi un profil de profondeur de la substance à analyser.
(JA) ２種以上の高分子化合物が含まれる高分子薄膜構造体において、そのうち少なくとも１種を安定同位体で標識し、安定同位体を用いて標識した高分子化合物を含む構造体をその深さ方向に沿ってスパッタイオンによってスパッタリングする工程と、飛行時間型二次イオン質量分析法によって該安定同位体を含む二次イオンの質量スペクトルを取得する工程とを繰り返すことで、該安定同位体を含むフラグメントのデプスプロファイルを得る高分子薄膜構造体の深さ方向の分析方法、及び有機膜の表面に導電性カーボンコーティング層を形成し、カーボンコーティングされた上記有機膜をその深さ方向に沿ってスパッタイオンによってスパッタリングする工程と、飛行時間型二次イオン質量分析法によって上記有機膜中の分析対象物質の二次イオン質量スペクトルを取得する工程とを繰り返すことで、上記分析対象物質のデプスプロファイルを得る有機膜の深さ方向の分析方法を提供する。
