(EN) An adhesive tape (100) for semiconductor device dicing, which is obtained by forming a radiation-curable adhesive layer (20) on a base film (10). The base film (10) is formed of two or more base resin film layers. A base resin film layer (2) that is adjacent to the adhesive layer has a melting point of 100-120°C, while a base resin film layer (1) that is adjacent to the adhesive layer-side base resin film layer on the reverse side of the adhesive layer side has a melting point of 140-150°C.
(FR) La présente invention porte sur une bande adhésive (100) pour découpage en dés de dispositif semi-conducteur, qui est obtenue par réalisation d'une couche adhésive durcissable sous l'effet d'un rayonnement (20) sur un film de base (10). Le film de base (10) est formé d'au moins deux couches de film de résine de base. Une couche de résine de film de base (2) qui est adjacente à la couche adhésive a un point de fusion de 100-120°C, alors qu'une couche de film de résine de base (1) qui est adjacente à la couche de film de résine de base côté couche adhésive sur le côté inverse du côté couche adhésive a un point de fusion de 140-150°C.
(JA) 基材フィルム10上に放射線硬化型粘着剤層20を形成してなる半導体デバイスダイシング用粘着テープ100であって、前記基材フィルム10が2層以上の基材樹脂フィルム層からなり、前記粘着剤層側に隣接する基材樹脂フィルム層2の融点が100~120℃であり、該粘着剤層側の基材樹脂フィルム層と前記粘着剤層と逆側で隣接する基材樹脂フィルム層1の融点が140~150℃である。