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1. (WO2013058048) HIGH FREQUENCY AMPLIFIER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/058048    International Application No.:    PCT/JP2012/073979
Publication Date: 25.04.2013 International Filing Date: 20.09.2012
IPC:
H03F 1/32 (2006.01), H03F 3/189 (2006.01), H03F 3/213 (2006.01)
Applicants: TDK Corporation [JP/JP]; 3-9-1, Shibaura, Minato-ku, Tokyo 1080023 (JP)
Inventors: Shibuya Tomohiko; (JP).
Ajioka Atsushi; (JP).
Tsumita Atsushi; (JP)
Priority Data:
2011-227809 17.10.2011 JP
Title (EN) HIGH FREQUENCY AMPLIFIER
(FR) AMPLIFICATEUR À HAUTE FRÉQUENCE
(JA) 高周波増幅器
Abstract: front page image
(EN)[Problem] To prevent a sneak signal from an output detection circuit unit (11) that occurs when commonality is achieved between the power supply of the output detection circuit unit (11) and the bias power supply of a power amplification unit (1). [Solution] When commonality is achieved between the power supply of a diode (9) of an output detection circuit unit (11) and the power supply of a bias circuit (8), a resonance circuit is connected between the bias circuit (8) and the output detection circuit unit (11), thereby preventing a sneak signal from the output side of a power amplification transistor (2) from being input to the input side of the power amplification transistor (2).
(FR)La présente invention a pour objet d'éviter un signal parasite provenant d'une unité de circuit de détection de sortie (11) qui apparaît lorsqu'il y a similitude entre l'alimentation en courant de l'unité de circuit de détection de sortie (11) et l'alimentation en courant de polarisation d'une unité d'amplification de courant (1). Lorsqu'il y a similitude entre l'alimentation en courant d'une diode (9) d'une unité de circuit de détection de sortie (11) et l'alimentation en courant d'un circuit de polarisation (8), la solution consiste à connecter un circuit de résonance entre le circuit de polarisation (8) et l'unité de circuit de détection de sortie (11), ce qui empêche un signal parasite provenant du côté sortie d'un transistor d'amplification de courant (2) d'entrer dans le côté entrée du transistor d'amplification de courant (2).
(JA)【課題】出力検波回路部11の供給電源を電力増幅部1のバイアス電源と共通化した際に発生する出力検波回路部11からの回り込み信号を防ぐこと。 【解決手段】出力検波回路部11のダイオード9の供給電源をバイアス回路8の供給電源と共通化する際に、バイアス回路8と出力検波回路部11の間に共振回路で接続することで電力増幅用トランジスタ2の出力側からの回り込み信号が電力増幅用トランジスタ2の入力側に入力されるのを防ぐ。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)