WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2013058036) SILICON BLOCK INSPECTION METHOD AND FABRICATION METHOD, SILICON BLOCK, SILICON WAFER FABRICATION METHOD, SILICON WAFER, SOLAR CELL ELEMENT, AND SOLAR CELL MODULE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/058036    International Application No.:    PCT/JP2012/073282
Publication Date: 25.04.2013 International Filing Date: 12.09.2012
IPC:
G01N 22/00 (2006.01), H01L 31/04 (2006.01)
Applicants: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (For All Designated States Except US).
OISHI, Ryuichi; (For US Only)
Inventors: OISHI, Ryuichi;
Agent: Fukami Patent Office, p.c.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
Priority Data:
2011-229529 19.10.2011 JP
Title (EN) SILICON BLOCK INSPECTION METHOD AND FABRICATION METHOD, SILICON BLOCK, SILICON WAFER FABRICATION METHOD, SILICON WAFER, SOLAR CELL ELEMENT, AND SOLAR CELL MODULE
(FR) PROCÉDÉ D'INSPECTION ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN BLOC DE SILICIUM, BLOC DE SILICIUM, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE PLAQUETTE DE SILICIUM, PLAQUETTE DE SILICIUM, ÉLÉMENT DE CELLULE SOLAIRE, ET MODULE SOLAIRE
(JA) シリコンブロックの検査方法および製造方法、シリコンブロック、シリコンウェハの製造方法、シリコンウェハ、太陽電池素子ならびに太陽電池モジュール
Abstract: front page image
(EN)The present invention provides a method of inspecting a silicon block which is cut from a polycrystalline silicon ingot that is formed by uniaxial coagulation, comprising: a lifetime measurement step of measuring the lifetime of a silicon block minority carrier; and an oxygen concentration computation step of computing from the lifetime which is measured in the lifetime measurement step the oxygen concentration of the silicon block.
(FR)Cette invention concerne un procédé d'inspection d'un bloc de silicium découpé dans un lingot de silicium polycristallin qui est formé par coagulation uniaxiale, ledit procédé comprenant : une étape de mesure de durée de vie consistant à mesurer la durée de vie d'un porteur minoritaire du bloc de silicium; et une étape de calcul de concentration d'oxygène consistant à calculer d'après la durée de vie qui est mesurée dans l'étape de mesure de durée de vie la concentration d'oxygène du bloc de silicium.
(JA) 本発明は、一方向凝固により形成された多結晶シリコンインゴットから切り出されたシリコンブロックの検査方法であって、シリコンブロックの少数キャリアのライフタイムを測定するライフタイム測定工程と、ライフタイム測定工程において測定したライフタイムからシリコンブロックの酸素濃度を算出する酸素濃度算出工程と、を含むシリコンブロックの検査方法を提供する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)