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1. (WO2013058002) LIGHT DETECTION DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/058002    International Application No.:    PCT/JP2012/069728
Publication Date: 25.04.2013 International Filing Date: 02.08.2012
IPC:
H01L 31/107 (2006.01), H01L 27/14 (2006.01), H01L 27/146 (2006.01), H01L 31/02 (2006.01)
Applicants: HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 1126-1, Ichino-cho, Higashi-ku, Hamamatsu-shi, Shizuoka 4358558 (JP) (For All Designated States Except US).
NAGANO Terumasa [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HOSOKAWA Noburo [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SUZUKI Tomofumi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
BABA Takashi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: NAGANO Terumasa; (JP).
HOSOKAWA Noburo; (JP).
SUZUKI Tomofumi; (JP).
BABA Takashi; (JP)
Agent: HASEGAWA Yoshiki; SOEI PATENT AND LAW FIRM, Marunouchi MY PLAZA (Meiji Yasuda Life Bldg.) 9th fl., 1-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Priority Data:
2011-232104 21.10.2011 JP
Title (EN) LIGHT DETECTION DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE DÉTECTION DE LUMIÈRE
(JA) 光検出装置
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor light detection element (10) has a plurality of channels, each channel constituting a photodiode array (PDA) containing multiple avalanche photodiodes (APD) operating in Geiger mode, quenching resistors (R1) connected to each avalanche photodiode (APD) in series, and a signal line (TL) to which the quenching resistors (R1) are connected in parallel. A mount substrate (20) has multiple electrodes (E9) corresponding to each channel and arranged on the side of main surface (20a), and a signal processing unit (SP) for processing the output signal from each channel on the side of main surface (20b). A through electrode (TE) electrically connected to the signal line (TL) is formed on a semiconductor substrate (1N) for each channel. The through electrodes (TE) and electrodes (E9) are electrically coupled via bump electrodes (BE).
(FR)La présente invention se rapporte à un élément de détection de lumière semi-conducteur (10) qui comprend une pluralité de canaux, chaque canal constituant un réseau de photodiodes (PDA) comportant de multiples photodiodes à avalanche (APD) qui fonctionnent en mode Geiger, des résistances de coupure (R1) raccordées en série à chaque photodiode à avalanche (APD) et une ligne de signal (TL) à laquelle les résistances de coupure (R1) sont raccordées en parallèle. Un substrat de montage (20) comprend de multiples électrodes (E9) qui correspondent à chaque canal et qui sont agencées sur le côté de la surface principale (20a), ainsi qu'une unité de traitement de signal (SP) destinée à traiter le signal de sortie provenant de chaque canal sur le côté de la surface principale (20a). Une électrode traversante (TE) raccordée électriquement à la ligne de signal (TL) est formée sur un substrat semi-conducteur (1N) pour chaque canal. Les électrodes traversantes (TE) et les électrodes (E9) sont électriquement couplées par l'intermédiaire d'électrodes à bosse (BE).
(JA) 半導体光検出素子10は、ガイガーモードで動作する複数のアバランシェフォトダイオードAPDと、各アバランシェフォトダイオードAPDに対して直列に接続されるクエンチング抵抗R1と、クエンチング抵抗R1が並列に接続される信号線TLと、を含むフォトダイオードアレイPDAを一つのチャンネルとして、複数のチャンネルを有する。搭載基板20は、チャンネル毎に対応した複数の電極E9が主面20a側に配置されると共に、各チャンネルからの出力信号を処理する信号処理部SPが主面20b側に配置されている。半導体基板1Nには、チャンネル毎に、信号線TLと電気的に接続された貫通電極TEが形成されている。貫通電極TEと電極E9とがバンプ電極BEを介して電気的に接続されている。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)