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1. (WO2013057689) SiC HIGH TEMPERATURE PRESSURE TRANSDUCER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/057689    International Application No.:    PCT/IB2012/055695
Publication Date: 25.04.2013 International Filing Date: 18.10.2012
IPC:
G01L 1/16 (2006.01), G01L 1/18 (2006.01)
Applicants: CSEM CENTRE SUISSE D'ELECTRONIQUE ET DE MICROTECHNIQUE SA - RECHERCHE ET DEVELOPPEMENT [CH/CH]; Rue Jacquet DROZ 1 Case Postale CH-2002 Neuchâtel (CH)
Inventors: AKIYAMA, Terunobu; (CH)
Agent: GROSFILLIER, Philippe; c/o André Roland S.A. Ch. des Charmettes 9 P.O Box 5107 1002 Lausanne (CH)
Priority Data:
PCT/IB2011/054713 21.10.2011 IB
Title (EN) SiC HIGH TEMPERATURE PRESSURE TRANSDUCER
(FR) TRANSDUCTEUR DE PRESSION HAUTE TEMPÉRATURE SIC
Abstract: front page image
(EN)The invention concerns a pressure transducer comprising a deflecting membrane, said membrane comprising two piezoresistors (10, 11) of different types, said piezoresistors being arranged such that a same stress or a same strain is applied on said piezoresistors and said piezoresistors (10, 11) yield changes in resistance, wherein a piezoresistor of a first type (10) is positioned such that its current direction is perpendicular to the stress direction (trans verse) and a piezoresistor of a second type is parallel to the stress direction (longitudinal), allowing, when a tensile stress is applied to the transducer, said piezoresis tor of the first type to increase its resistance and said piezoresis tor of the second type to decrease the resistance; or when a com pressive stress is applied to the transducer, said piezoresistor of the first type to decrease its resistance and said piezoresistor of the second type to increase the resistance; wherein said piezoresistor of the first type (10) has a specific width and a length as short as possible and said piezoresistor (11) of the second type has a width as short as possible and a length as long as possible.
(FR)L'invention concerne un transducteur de pression comprenant une membrane de déviation comprenant deux piézorésistances (10, 11) de types différents, conçues de sorte qu'une même effort ou qu'une même contrainte soit appliquée sur lesdits piézorésistances et que celles-ci (10, 11) produisent un changement de résistance, une première piézorésistance d'un premier type (10) étant placée de sorte que le sens du courant soit perpendiculaire au sens de l'effort (transversal) et une piézorésistance de deuxième type étant parallèle au sens de l'effort (longitudinal), ce qui permet, à ladite résistance piézoélectrique du premier type d'augmenter sa résistance et à ladite piézorésistance du deuxième type de réduire sa résistance, lorsqu'un effort de traction est appliqué sur le transducteur ; ou, ce qui permet à ladite piézorésistance du premier type de réduire sa résistance et à ladite piézorésistance du deuxième type d'augmenter la résistance lorsqu'un effort compressif est appliqué sur le transducteur ; la piézorésistance du premier type (10) possède une largeur spécifique et une longueur aussi réduite que possible, et la piézorésistance (11) du deuxième type possède une largeur aussi réduite que possible et une longueur aussi grande que possible.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)