(DE) Ein Halbleitersubstrat (1) wird an einer Oberseite (2) mit einer Struktur (3) versehen, und ein zur Handhabung des Halbleitersubstrates vorgesehenes weiteres Substrat (4) wird an einer Oberseite (5) ebenfalls strukturiert. Die Strukturierung des weiteren Substrates erfolgt in zumindest teilweiser Entsprechung zu der Struktur des Halbleitersubstrates. Die strukturierten Oberseiten des Halbleitersubstrates und des weiteren Substrates werden einander zugewandt und dauerhaft miteinander verbunden. Dann wird das Halbleitersubstrat von der Rückseite (6) her gedünnt, und das weitere Substrat wird zumindest soweit entfernt, dass die Struktur des Halbleitersubstrates in dem für die weitere Verwendung vorgesehenen Umfang freigelegt ist.
(EN) The invention relates to a semiconductor substrate (1) having a structure (3) on an upper face (2) and another substrate (4) for handling the semiconductor substrate which is likewise structured on an upper face (5). The structuring of the other substrate occurs in at least partial correspondence to the structure of the semiconductor substrate. The structured upper faces of the semiconductor substrate and the other substrate face each other and are permanently connected to each other. The semiconductor substrate is then thinned from the rear face (6) and the other substrate is removed at least far enough so that the structure of the semiconductor substrate is exposed to a sufficient extent for further use.
(FR) Procédé selon lequel un substrat semi-conducteur (1) est pourvu d'une structure (3) sur une face supérieure (2), et un autre substrat (4) servant à manipuler le substrat semi-conducteur est également structuré sur une face supérieure (5). La structuration de l'autre substrat est réalisée au moins partiellement conformément à la structure du substrat semi-conducteur. Les faces supérieures structurées du substrat semi-conducteur et de l'autre substrat sont placées en vis-à-vis l'une de l'autre et assemblées de manière permanente. Le substrat semi-conducteur est ensuite aminci en partant de la face arrière (6) et l'autre substrat est retiré au moins de sorte que la structure du substrat semi-conducteur soit mise à nue dans la zone prévue pour l'utilisation ultérieure.