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1. (WO2013056923) NETWORK SIMULATION IN THE SECONDARY CIRCUIT OF CONTACTLESS POWER TRANSMISSION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/056923    International Application No.:    PCT/EP2012/068129
Publication Date: 25.04.2013 International Filing Date: 14.09.2012
IPC:
H02J 5/00 (2006.01)
Applicants: PAUL VAHLE GMBH & CO. KG [DE/DE]; Westicker Straße 52 59174 Kamen (DE) (For All Designated States Except US).
TURKI, Faical [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: TURKI, Faical; (DE)
Agent: LENZING GERBER STUTE; Partnerschaftsgesellschaft von Patentanwälten Bahnstraße 9 40212 Düsseldorf (DE)
Priority Data:
10 2011 116 057.8 18.10.2011 DE
Title (DE) NETZNACHBILDUNG IM SEKUNDÄRKREIS DER BERÜHRUNGSLOSEN ENERGIEÜBERTRAGUNG
(EN) NETWORK SIMULATION IN THE SECONDARY CIRCUIT OF CONTACTLESS POWER TRANSMISSION
(FR) SIMULATION DE RESEAU DANS UN CIRCUIT SECONDAIRE DE TRANSFERT D'ENERGIE SANS CONTACT
Abstract: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein induktives Energieübertragungssystem, mindestens eine Primärspule (Sp1) und mindestens eine Sekundärspule (Sp2) aufweisend, die miteinander magnetisch gekoppelt oder koppelbar sind und die jeweils mit mindestens einer Kapazität (C1, C2) einen primärseitigen und sekundärseitigen Resonanzkreis (Repri, Resek) bilden, dadurchgekennzeichnet, dass ein primärseitiger Wechselrichter (15) aus einer unipolaren Primärspannung (|UN|) oder einer Gleichspannung (UG) eine getaktete Spannung (Uw), insbesondere eine getaktete Rechteckspannung, erzeugt und dem primärseitigen Resonanzkreis (Repri) zuführt, wobei der primärseitige Wechselrichter (15) derart getaktet oder eingeregelt ist oder die Taktung der vom primärseitigen Wechselrichter (15) erzeugte Spannung, insbesondere Rechteckspannung, derart gewählt oder eingeregelt ist, dass sich eine im sekundärseitigen Resonanzkreis (Resek) induzierte Sekundärwechselspannung (Ui,) mit einer Trägerfrequenz (fT) ergibt, wobei die Amplitude der Sekundärwechselspannung (Ui) mit einer Netzfrequenz (f0) oszilliert, wobei dem sekundärseitigen Resonanzkreis (Resek) eine Einrichtung (E) nachgeschaltet ist, die aus der am Ausgang des sekundärseitigen Resonanzkreises (Resek) anliegenden Spannung (Ui) eine bipolare sekundärseitige Ausgangsspannung (UA) erzeugt, wobei die Frequenz (fA) der sekundärseitigen Ausgangsspannung (UA) gleich der Netzfrequenz (f0) ist, und dass die Einrichtung (E) insbesondere vier Leistungshalbleiter (L1, L2, L3, L4; L5, L6, L7, L8; L9, L10, L11, L12) aufweist, die zwei Gruppen (Gr1; Gr2) von insbesondere gleich vielen Leistungshalbleitern bilden, und die Leistungshalbleiter einer Gruppe (Gr1; Gr2) zusammen mittels eines Gruppensteuersignals (G1; G2) geschaltet werden, wobei die Gruppen (Gr1, Gr2) abwechselnd mittels der Gruppensteuersignale (G1; G2) aktiv geschaltet sind.
(EN)The invention relates to an inductive power transmission system, comprising at least one primary coil (Sp1) and at least one secondary coil (Sp2), which are or can be magnetically coupled to each other and which form respective primary-side and secondary-side resonant circuits (Repri, Resek) together with at least one capacitor (C1, C2), characterized in that a primary-side inverter (15) produces a clocked voltage (Uw), in particular a clocked square-wave voltage, from a unipolar primary voltage (|UN|) or a direct voltage (UG) and feeds said clocked voltage to the primary-side resonant circuit (Repri), the primary-side inverter (15) being clocked or adjusted in such a way or the clocking of the voltage, in particular square-wave voltage, produced by the primary-side inverter (15) being selected or adjusted in such a way that a secondary alternating voltage (Ui) having a carrier frequency (fT) and induced in the secondary-side resonant circuit (Resek) results, the amplitude of the secondary alternating voltage (Ui) oscillating at a network frequency (f0), an apparatus (E) being connected downstream of the secondary-side resonant circuit (Resek), which apparatus produces a bipolar secondary-side output voltage (UA) from the voltage (Ui) present at the output of the secondary-side resonant circuit (Resek), the frequency (fA) of the secondary-side output voltage (UA) being equal to the network frequency (f0), and characterized in that the apparatus (E) has in particular four power semiconductors (L1, L2, L3, L4; L5, L6, L7, L8; L9, L10, L11, L12), which form two groups (Gr1; Gr2) of in particular equally many power semiconductors, and the power semiconductors of a group (Gr1; Gr2) are switched jointly by means of a group control signal (G1; G2), wherein the groups (Gr1, Gr2) are switched to an active state in alternation by means of the group control signals (G1; G2).
(FR)L'invention concerne un système de transfert d'énergie par induction comportant au moins une bobine primaire (Sp1) et au moins une bobine secondaire (Sp2) qui sont ou peuvent être magnétiquement couplées ensemble et qui forment chacune, avec au moins une capacité (C1, C2), un circuit résonnant côté primaire et un circuit résonnant côté secondaire (Repri, Resek). L'invention est caractérisée en ce qu'un onduleur côté primaire (15) génère, à partir d'une tension primaire (|UN|) unipolaire ou d'une tension continue (UG), une tension d'horloge (Uw), notamment une tension carrée d'horloge, et la transmet au circuit résonnant primaire (Repri). L'onduleur côté primaire (15) est cadencé ou réglé de telle sorte ou bien le cadençage de la tension générée par l'onduleur côté primaire (15), notamment de la tension carrée, est sélectionné ou réglé de telle sorte qu'une tension alternative secondaire (Ui,) induite dans le circuit résonnant côté secondaire (Resek) et présentant une fréquence porteuse (fT) est créée. L'amplitude de la tension alternative secondaire (Ui) oscille à une fréquence de réseau (f0). En aval du circuit résonnant côté secondaire (Resek) est monté un dispositif (E) qui génère une tension de sortie côté secondaire (UA) bipolaire à partir de la tension (Ui) qui se trouve à la sortie du circuit résonnant côté secondaire (Resek). La fréquence (fA) de la tension de sortie côté secondaire (UA) est égale à la fréquence de réseau (f0). Le dispositif (E) présente notamment quatre semi-conducteurs de puissance (L1, L2, L3, L4; L5, L6, L7, L8; L9, L10, L11, L12) qui forment deux groupes (Gr1; Gr2) présentant notamment le même nombre de semi-conducteurs de puissance, et les semi-conducteurs de puissance d'une groupe (Gr1; Gr2) sont commutés ensemble au moyen d'un signal de commande de groupe (G1; G2), les groupes (Gr1, Gr2) étant activés en alternance au moyen des signaux de commande de groupe (G1; G2).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)