CN2012079126 INFRARED DETECTOR AND PREPARATION METHOD THEREOF

1. (WO2013056582) INFRARED DETECTOR AND PREPARATION METHOD THEREOF

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Pub. No.:		WO/2013/056582		International Application No.:		PCT/CN2012/079126
Publication Date:		25.04.2013		International Filing Date:		25.07.2012

IPC:

G01J 5/20 (2006.01), H01L 27/144 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01)

Applicants:

TSINGHUA UNIVERSITY [CN/CN]; No.1 Qinghuayuan, Haidian District Beijing 100084 (CN) (For All Designated States Except US).
CAI, Jian [CN/CN]; (CN) (For US Only).
WANG, Qian [CN/CN]; (CN) (For US Only).
LIU, Ziyu [CN/CN]; (CN) (For US Only).
HU, Yang [CN/CN]; (CN) (For US Only)

Inventors:

CAI, Jian; (CN).
WANG, Qian; (CN).
LIU, Ziyu; (CN).
HU, Yang; (CN)

Agent:

RUNPING & PARTNERS; Suite 515, Yingu Mansion, No.9 Beisihuanxilu Haidian District, Beijing 100190 (CN)

Priority Data:

201110319208.6

19.10.2011

Title

(EN) INFRARED DETECTOR AND PREPARATION METHOD THEREOF
(FR) DÉTECTEUR INFRAROUGE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(ZH) 一种红外探测器及其制备方法

Abstract:

(EN)An infrared detector and a preparation method thereof. The infrared detector includes: an infrared detection element (1) and a readout circuit (2), wherein the infrared detection element (1) is formed on one side of a first substrate (100), and an edge of the infrared detection element (1) is provided with an electrode hole (9), and the readout circuit (2) is formed on one side of a second substrate (200) and the readout circuit (2) has an electrode, the first substrate (100) is formed thereon with a silicon via (8) passing through the first substrate (100) and filled with a conductive material, the electrode hole (9) of the infrared detection element (1) is electrically connected to the electrode of the readout circuit (2) via the conductive material filled in the silicon via (8). The following defects are overcome: infrared detectors in the prior art need to flatten the silicon wafer surface with a suitable chemical-mechanical polishing process after a readout circuit thereof has been manufactured, the circuit is large in area, and the requirements of the system integration process are high.
(FR)L'invention concerne un détecteur infrarouge et son procédé de production. Le détecteur infrarouge comprend : un élément de détection infrarouge (1) et un circuit de lecture (2). L'élément de détection infrarouge (1) est monté sur un côté d'un premier substrat (100) et un bord de l'élément de détection infrarouge (1) est doté d'un trou d'électrode (9), et le circuit de lecture (2) est monté sur un côté d'un second substrat (200) et comprend une électrode. Le premier substrat (100) est monté sur l'électrode avec un trou d'interconnexion à travers le silicium (8) traversant ledit premier substrat (100) et est rempli d'un matériau conducteur, le trou d'électrode (9) de l'élément de détection infrarouge (1) est connecté électriquement à l'électrode du circuit de lecture (2) via le matériau conducteur remplissant le trou d'interconnexion à travers le silicium (8). Les défauts suivants sont surmontés: les détecteurs infrarouges de l'état de la technique doivent aplatir la surface de la tranche de silicium au moyen d'un processus de polissage chimico-mécanique approprié une fois que leur circuit de lecture a été fabriqué, le circuit étant large dans une zone, et les besoins du processus d'intégration système étant élevés.
(ZH)一种红外探测器及其制备方法，红外探测器包括红外探测元件（1）和读出电路（2），红外探测元件（1）形成在第一衬底（100）的一侧，红外探测元件（1）的边缘具有电极孔（9），其中，读出电路（2）形成在第二衬底（200）的一侧，并且读出电路（2）具有电极，第一衬底（100）上形成有贯穿第一衬底（100）的并且填充有导电材料的硅通孔（8），所述红外探测元件（1）的电极孔（9）与所述读出电路（2）的电极通过硅通孔（8）中填充的导电材料彼此电连接。克服了现有技术中的红外探测器在其读出电路制作完成后需要合适的化学机械抛光工艺来实现硅片表面的平坦化，电路面积大，以及系统集成工艺要求高的缺陷。

Designated States:

AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).

Publication Language:	Chinese (ZH)
Filing Language:	Chinese (ZH)

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