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1. (WO2013056556) LAYER I VANADIUM-DOPED PIN-TYPE NUCLEAR BATTERY AND PREPARATION METHOD THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/056556    International Application No.:    PCT/CN2012/076325
Publication Date: 25.04.2013 International Filing Date: 31.05.2012
IPC:
G21H 1/06 (2006.01), H01L 21/04 (2006.01)
Applicants: XIDIAN UNIVERSITY [CN/CN]; No. 2 South TaiBai Road Xi'an, Shaanxi 710071 (CN) (For All Designated States Except US).
GUO, Hui [CN/CN]; (CN) (For US Only).
ZHANG, Keji [CN/CN]; (CN) (For US Only).
ZHANG, Yuming [CN/CN]; (CN) (For US Only).
ZHANG, Yujuan [CN/CN]; (CN) (For US Only).
HAN, Chao [CN/CN]; (CN) (For US Only).
SHI, Yanqiang [CN/CN]; (CN) (For US Only)
Inventors: GUO, Hui; (CN).
ZHANG, Keji; (CN).
ZHANG, Yuming; (CN).
ZHANG, Yujuan; (CN).
HAN, Chao; (CN).
SHI, Yanqiang; (CN)
Agent: NTD UNIVATION INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY LTD.; Room 1802, 18th Floor, Block A, Investment Plaza 27 Jinrongdajie, Xicheng District Beijing 100033 (CN)
Priority Data:
201110319001.9 19.10.2011 CN
Title (EN) LAYER I VANADIUM-DOPED PIN-TYPE NUCLEAR BATTERY AND PREPARATION METHOD THEREOF
(FR) BATTERIE NUCLÉAIRE DU TYPE PIN DOPÉE AU VANADIUM DE COUCHE I ET PROCÉDÉ DE PRÉPARATION ASSOCIÉ
(ZH) I层钒掺杂的PIN型核电池及其制作方法
Abstract: front page image
(EN)A layer I vanadium-doped PIN-type nuclear battery, including from top to bottom a radioisotope source layer (1), a p-type ohm contact electrode (4), a SiO2 passivation layer (2), a SiO2 compact insulation layer (3), a p-type SiC epitaxial layer (5), an n-type SiC epitaxial layer (6), an n-type SiC substrate (7) and an n-type ohm contact electrode (8). The doping density of the p-type SiC epitaxial layer (5) is 1 X 1019 to 5 X 1019 cm—3, the doping density of the n-type SiC substrate (7) is 1 X 1018 to 7 X 1018 cm—3. The n-type SiC epitaxial layer (6) is a low-doped layer I formed by injecting vanadium ions, with the doping density thereof being 1 X 1013 to 5 X 1014 cm—3. Also provided is a preparation method for a layer I vanadium-doped PIN-type nuclear battery. The present invention solves the problem that the doping density of layer I of the exiting SiC PIN-type nuclear battery is high.
(FR)L'invention concerne une batterie nucléaire de type PIN dopée au vanadium de couche I, qui comprend, de haut en bas, une couche de source radio-isotope (1), une électrode de contact ohmique de type p (4), une couche de passivation SiO2 (2), une couche d'isolation compacte Sio2 (3), une couche épitaxiale SiC de type p (5), une couche épitaxiale SiC de type n (6), un substrat SiC de type n (7) et une électrode de contact ohmique de type n (8). La densité de dopage de la couche épitaxiale SiC de type p (5) est de 1 X 1019 à 5 X 1019 cm—3, la densité de dopage du substrat SiC de type n (7) est de 1 X 1018 à 7 X 1018 cm—3. La couche épitaxiale SiC de type n (6) est une couche I faiblement dopée, formée par l'injection des ions de vanadium, la densité de dopage de celle-ci étant de 1 X 1013 à 5 X 1014 cm—3. L'invention concerne également un procédé de préparation d'une batterie nucléaire de type PIN dopée au vanadium de couche I. L'invention résout le problème selon lequel la densité de dopage de la couche I de la batterie nucléaire de type PIN SiC sortante est élevée.
(ZH)一种I层钒掺杂的PIN型核电池,自上而下包括放射性同位素源层(1)、p型欧姆接触电极(4)、SiO2钝化层(2)、SiO2致密绝缘层(3)、p型SiC外延层(5)、n型SiC外延层(6)、n型SiC衬底(7)和n型欧姆接触电极(8)。p型SiC外延层(5)掺杂浓度为1X1019〜5X1019cm—3,n型SiC衬底(7)的掺杂浓度为1X1018〜7X1018cm—3;该n型SiC外延层(6)是通过注入钒离子而形成的低掺杂I层,其掺杂浓度为1X1013〜5X1014cm—3。还提供了一种I层钒掺杂的PIN型核电池制作方法。本发明解决了现有的碳化硅PIN型核电池I层掺杂浓度高的问题。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)