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1. (WO2013056251) SYSTEMS, DEVICES, AND METHODS WITH INTEGRABLE FET-CONTROLLED LATERAL THYRISTORS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/056251    International Application No.:    PCT/US2012/060294
Publication Date: 18.04.2013 International Filing Date: 15.10.2012
IPC:
H01L 29/74 (2006.01), H01L 21/332 (2006.01)
Applicants: PAKAL TECHNOLOGIES LLC [US/US]; 744 Montgomery Street, 5th Floor San Francisco, CA 94111 (US)
Inventors: BLANCHARD, Richard, A.; (US)
Agent: OGONOWSKY, Brian, D.; Patent Law Group LLP 465 Fairchild Drive, Suite 125 Mountain View, CA 94043 (US)
Priority Data:
61/547,355 14.10.2011 US
Title (EN) SYSTEMS, DEVICES, AND METHODS WITH INTEGRABLE FET-CONTROLLED LATERAL THYRISTORS
(FR) SYSTÈMES, DISPOSITIFS ET PROCÉDÉS UTILISANT DES THYRISTORS LATÉRAUX COMMANDÉS PAR DES TEC INTÉGRABLES
Abstract: front page image
(EN)Methods and systems for lateral switched-emitter thyristors in a single-layer implementation. Lateral operation is advantageously achieved by using an embedded gate. Embedded gate plugs are used to controllably invert a portion of the P-base region, so that the electron population at the portion of the inversion layer which is closest to the anode will provide a virtual emitter, and will provide sufficient gain so that the combination of bipolar devices will go into latchup.
(FR)La présente invention concerne des procédés et des systèmes destinés à des thyristors latéraux à émetteur commuté dans un mode de réalisation monocouche. Le fonctionnement latéral est avantageusement obtenu au moyen d'une grille incorporée. Les fiches de la grille incorporée servent à inverser de manière réglable une partie de la région de base P, de sorte que la population d'électrons au niveau de la partie de la couche d'inversion la plus proche de l'anode forme un émetteur virtuel et procure un gain suffisant pour que la combinaison de dispositifs bipolaires aboutisse à un verrouillage.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)