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1. (WO2013055798) SPIN-ON CARBON COMPOSITIONS FOR LITHOGRAPHIC PROCESSING
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/055798    International Application No.:    PCT/US2012/059565
Publication Date: 18.04.2013 International Filing Date: 10.10.2012
IPC:
H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
Applicants: BREWER SCIENCE INC. [US/US]; 2401 Brewer Drive Rolla, Missouri 65401 (US) (For All Designated States Except US).
KRISHNAMURTHY, Vandana [US/US]; (US) (US only).
SULLIVAN, Daniel M. [US/US]; (US) (US only).
WANG, Yubao [CN/US]; (US) (US only).
LIN, Qin [CN/US]; (US) (US only).
SIMMONS, Sean [US/US]; (US) (US only)
Inventors: KRISHNAMURTHY, Vandana; (US).
SULLIVAN, Daniel M.; (US).
WANG, Yubao; (US).
LIN, Qin; (US).
SIMMONS, Sean; (US)
Agent: BORNMAN, Tracy L.; Hovey Williams LLP 10801 Mastin Blvd. Suite 1000 84 Corporate Woods Overland Park, Kansas 66210 (US)
Priority Data:
61/545,313 10.10.2011 US
Title (EN) SPIN-ON CARBON COMPOSITIONS FOR LITHOGRAPHIC PROCESSING
(FR) COMPOSITIONS CARBONÉES APPLIQUÉES PAR ROTATION POUR TRAITEMENTS LITHOGRAPHIQUES
Abstract: front page image
(EN)The invention described herein is directed towards spin-on carbon materials comprising polyamic acid compositions and a crosslinker in a solvent system. The materials are useful in trilayer photolithography processes. Films made with the inventive compositions are not soluble in solvents commonly used in lithographic materials, such as, but not limited to PGME, PGMEA, and cyclohexanone. However, the films can be dissolved in developers commonly used in photolithography. In one embodiment, the films can be heated at high temperatures to improve the thermal stability for high temperature processing. Regardless of the embodiment, the material can be applied to a flat/planar or patterned surface. Advantageously, the material exhibits a wiggling resistance during pattern transfer to silicon substrate using fluorocarbon etch.
(FR)Cette invention concerne des matériaux carbonés appliqués par rotation comprenant des compositions d'acide polyamique et un réticulant dans un système solvant. Les matériaux sont utilisés dans les procédés de photolithographie à trois couches. Les films fabriqués avec les compositions de l'invention ne sont pas solubles dans les solvants habituellement utilisés dans les matériaux lithographiques, notamment le PGME, le PGMEA et la cyclohexanone, mais ils peuvent être dissous dans des révélateurs habituellement utilisés en photolithographie. Dans un mode de réalisation, les films peuvent être chauffés à température élevée pour améliorer leur stabilité thermique lors des traitements à haute température. Indépendamment du mode de réalisation, le matériau peut être appliqué sur une surface plate/planaire ou façonnée. Le matériau présente, de manière avantageuse, une résistance à la torsion lors du transfert des motifs sur le substrat en silicium avec un fluorocarbone de décapage.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)