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1. (WO2013055695) APPARATUS, SYSTEM, AND METHOD FOR WRITING MULTIPLE MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY CELLS WITH A SINGLE FIELD LINE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/055695    International Application No.:    PCT/US2012/059370
Publication Date: 18.04.2013 International Filing Date: 09.10.2012
IPC:
G11C 11/06 (2006.01)
Applicants: CROCUS TECHNOLOGY INC. [US/US]; 2380 Walsh Avenue Santa Clara, California 95051 (US)
Inventors: BERGER, Neal; (US).
NOZIERES, Jean-Pierre; (FR).
JAVERLIAC, Virgile; (FR)
Agent: FAN, Jason C.; Cooley LLP 777 - 6th Street, NW Suite 1100 Washington, District of Columbia 20001 (US)
Priority Data:
61/545,469 10.10.2011 US
Title (EN) APPARATUS, SYSTEM, AND METHOD FOR WRITING MULTIPLE MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY CELLS WITH A SINGLE FIELD LINE
(FR) DISPOSITIF, SYSTÈME ET PROCÉDÉ POUR ÉCRIRE DANS DE MULTIPLES CELLULES DE MÉMOIRE VIVE MAGNÉTIQUE AU MOYEN D'UNE LIGNE DE CHAMP UNIQUE
Abstract: front page image
(EN)A memory device includes a plurality of magnetic random access memory (MRAM) cells, a field line, and a field line controller configured to generate a write sequence that traverses the field line. The write sequence is for writing a multi-bit word to the plurality of MRAM cells. The multi-bit word includes a first subset of bits having a first polarity and a second subset of bits having a second polarity. The write sequence writes concurrently to at least a subset of the plurality of MRAM cells corresponding to the first subset of bits having the first polarity, then subsequently writes concurrently to a remaining subset of the plurality of MRAM cells corresponding to the second subset of bits having the second polarity.
(FR)L'invention concerne un dispositif de mémoire qui comprend une pluralité de cellules de mémoire vive magnétique (MRAM), une ligne de champ et un organe de commande de ligne de champ, configuré pour produire une séquence d'écriture qui traverse la ligne de champ. La séquence d'écriture sert à écrire un mot multibit dans la pluralité des cellules MRAM. Le mot multibit comprend un premier sous-ensemble de bits présentant une première polarité, et un second sous-ensemble de bits présentant une seconde polarité. La séquence d'écriture écrit simultanément dans au moins un sous-ensemble de la pluralité des cellules MRAM correspondant au premier sous-ensemble de bits présentant la première polarité, et écrit ensuite simultanément dans un sous-ensemble restant de la pluralité des cellules MRAM correspondant au second sous-ensemble de bits présentant la seconde polarité.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)