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1. (WO2013055627) METHOD OF CREATING TWO DIMENSIONAL DOPING PATTERNS IN SOLAR CELLS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/055627    International Application No.:    PCT/US2012/059238
Publication Date: 18.04.2013 International Filing Date: 08.10.2012
IPC:
H01L 31/18 (2006.01), H01L 31/0224 (2006.01), H01L 31/068 (2012.01), H01J 37/317 (2006.01), H01L 21/266 (2006.01)
Applicants: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC. [US/US]; 35 Dory Road Gloucester, MA 01930 (US) (For All Designated States Except US).
GRAFF, John, W. [US/US]; (US) (US only).
RIORDON, Benjamin, B. [US/US]; (US) (US only).
BATEMAN, Nicholas, P.T. [US/US]; (US) (US only).
OLSON, Joseph, C. [US/US]; (US) (US only)
Inventors: GRAFF, John, W.; (US).
RIORDON, Benjamin, B.; (US).
BATEMAN, Nicholas, P.T.; (US).
OLSON, Joseph, C.; (US)
Agent: LUCEK, Nathaniel; Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. 35 Dory Road Gloucester, MA 01930 (US)
Priority Data:
13/270,290 11.10.2011 US
Title (EN) METHOD OF CREATING TWO DIMENSIONAL DOPING PATTERNS IN SOLAR CELLS
(FR) PROCÉDÉ DE CRÉATION DE MOTIFS DE DOPAGE BIDIMENSIONNELS DANS DES CELLULES SOLAIRES
Abstract: front page image
(EN)An improved method of fabricating an interdigitated back contact (IBC) solar cell is disclosed. A first mask is used to perform a patterned ion implantation of n-type dopant to create the back surface field. A second mask is then used to create the p-type emitter on the same surface. The second mask may be aligned to the n-type implant, and may be used in a plurality of orientations to create the desired p-type emitter. In some embodiments, a p-type blanket implant is performed as well. In some embodiments, a doping gradient is created.
(FR)La présente invention porte sur un procédé amélioré de fabrication d'une cellule solaire à contact arrière interdigité (IBC). Un premier masque est utilisé pour réaliser une implantation d'ions à motifs de dopant de type n pour créer le champ de surface arrière. Un second masque est ensuite utilisé pour créer l'émetteur de type p sur la même surface. Le second masque peut être aligné par rapport à l'implant de type n et peut être utilisé dans une pluralité d'orientations pour créer l'émetteur de type p désiré. Selon certains modes de réalisation, un implant de couverture de type p est également réalisé. Selon certains modes de réalisation, un gradient de dopage est créé.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)