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1. (WO2013055414) APPARATUS FOR BI-DIRECTIONAL POWER SWITCHING IN LOW VOLTAGE VEHICLE POWER DISTRIBUTION SYSTEMS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/055414    International Application No.:    PCT/US2012/043199
Publication Date: 18.04.2013 International Filing Date: 20.06.2012
IPC:
B60R 16/02 (2006.01), H02M 3/02 (2006.01)
Applicants: BAE SYSTEMS INFORMATION AND ELECTRONIC SYSTEMS INTEGRATION INC. [US/US]; PO Box 868, NHQ1-719 Nashua, NH 03061-0868 (US) (For All Designated States Except US).
SCRUGGS, Michael, K. [US/US]; (US) (US only).
SOZUSEN, Serdar, T. [US/US]; (US) (US only)
Inventors: SCRUGGS, Michael, K.; (US).
SOZUSEN, Serdar, T.; (US)
Agent: LONG, Daniel, J.; Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. PO Box 868, NHQ1-719 Nashua, NH 03061-0868 (US)
Priority Data:
13/134,901 20.06.2011 US
Title (EN) APPARATUS FOR BI-DIRECTIONAL POWER SWITCHING IN LOW VOLTAGE VEHICLE POWER DISTRIBUTION SYSTEMS
(FR) APPAREIL DE COMMUTATION DE PUISSANCE BIDIRECTIONNELLE DANS DES SYSTÈMES DE DISTRIBUTION DE PUISSANCE DE VÉHICULE BASSE TENSION
Abstract: front page image
(EN)A plurality of modules each including at least a pair of series connected power MOSFETs are configured between a plurality of DC voltage sources, and a plurality output terminals for connection to respective loads, are controlled for selectively applying power to the loads via time delay switching incorporating forward biased intrinsic diodes of the MOSFETs in a given current path during initial application of power to a load, whereby a predetermined period of time after turning on one of the series connected MOSFETs, the associated other MOSFET is turned on to shunt its intrinsic diode for reducing the resistance in the current path to maximize current flow. The configuration of the plurality of power MOSFETs is also controlled for selectively providing bi-directional current flow between said plurality of DC voltage sources.
(FR)Selon l'invention, une pluralité de modules comprenant chacun au moins une paire de transistors MOSFET de puissance connectés en série sont disposés entre une pluralité de sources de tension CC, et une pluralité de bornes de sortie pour assurer une connexion à des charges respectives, sont commandés pour une application sélective de puissance aux charges par l'intermédiaire de commutateurs temporisés comprenant des diodes intrinsèques polarisées dans le sens direct des transistors MOSFET dans un trajet de courant donné lors de l'application initiale de la puissance à une charge ; selon lesquels, après une période de temps prédéterminée après la mise en marche de l'un des transistors MOSFET connectés en série, l'autre MOSFET étant allumé afin de dériver la diode intrinsèque pour réduire la résistance dans le trajet de courant afin de maximiser le flux de courant. La configuration de la pluralité des MOSFET de puissance est également commandée pour fournir sélectivement un flux de courant bidirectionnel entre ladite pluralité de sources de tension CC.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)