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1. (WO2013055368) METHOD TO DELINEATE CRYSTAL RELATED DEFECTS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/055368    International Application No.:    PCT/US2011/056428
Publication Date: 18.04.2013 International Filing Date: 14.10.2011
IPC:
G01N 1/32 (2006.01)
Applicants: MEMC ELECTRONIC MATERIALS, INC. [US/US]; 501 Pearl Drive St. Peters, Missouri 63376 (US) (For All Designated States Except US).
LIBBERT, Jeffrey L. [US/US]; (US) (For US Only).
FEI, Lu [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: LIBBERT, Jeffrey L.; (US).
FEI, Lu; (US)
Agent: KEPPEL, Nicholas A.; Armstrong Teasdale LLP 7700 Forsyth Blvd. Suite 1800 St. Louis, Missouri 63105 (US)
Priority Data:
Title (EN) METHOD TO DELINEATE CRYSTAL RELATED DEFECTS
(FR) PROCÉDÉ DE DÉFINITION DE DÉFAUTS ASSOCIÉS À UN CRISTAL
Abstract: front page image
(EN)Process for detecting grown -in -defects in a semiconductor silicon substrate. The process includes contacting a surface of the semiconductor silicon substrate with a gaseous acid in a reducing atmosphere at a temperature and duration sufficient to grow grown-in -defects disposed in the semiconductor silicon substrate to a size capable of being detected by an optical detection device.
(FR)La présente invention concerne un procédé destiné à détecter des défauts de croissance dans un substrat de silicium semi-conducteur. Le procédé comprend la mise en contact d'une surface du substrat de silicium semi-conducteur avec un acide gazeux sous une atmosphère réductrice à une température et pendant une durée suffisante pour faire croître des défauts de croissance disposés dans le substrat de silicium semi-conducteur jusqu'à une taille pouvant être détectée par un dispositif de détection optique.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)