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1. (WO2013054898) CHIP RESISTOR, MOUNTING STRUCTURE FOR CHIP RESISTOR, AND MANUFACTURING METHOD FOR CHIP RESISTOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/054898    International Application No.:    PCT/JP2012/076481
Publication Date: 18.04.2013 International Filing Date: 12.10.2012
IPC:
H01C 17/06 (2006.01), H01C 7/00 (2006.01), H01C 17/242 (2006.01)
Applicants: ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158585 (JP)
Inventors: TSUKADA, Torayuki; (JP).
NAKA, Kentaro; (JP)
Agent: YOSHIDA Minoru; 2-32-1301, Tamatsukuri-motomachi, Tennoji-ku, Osaka-shi, Osaka 5430014 (JP)
Priority Data:
2011-226646 14.10.2011 JP
Title (EN) CHIP RESISTOR, MOUNTING STRUCTURE FOR CHIP RESISTOR, AND MANUFACTURING METHOD FOR CHIP RESISTOR
(FR) RÉSISTANCE DE PUCE, STRUCTURE DE MONTAGE POUR RÉSISTANCE DE PUCE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION POUR RÉSISTANCE DE PUCE
(JA) チップ抵抗器、チップ抵抗器の実装構造、およびチップ抵抗器の製造方法
Abstract: front page image
(EN)[Problem] To provide a chip resistor suitable for improving manufacturing efficiency. [Solution] A chip resistor provided with a first electrode (1), a second electrode (2), a resistor (3), a first intermediate layer (4) that connects the first electrode (1) and the resistor (3), a second intermediate layer (5) that connects the second electrode (2) and the resistor (3), a covering film (61) that covers the first electrode (1), and an oxide section that is present within the first intermediate layer (4). The absorptivity of the material constituting the covering film (61) relative to laser light having a prescribed wavelength is higher than that of the material constituting the first electrode (1), and the oxide section is configured from an oxide of the material constituting the covering film (61).
(FR)La présente invention vise à fournir une résistance de puce appropriée pour améliorer un rendement de fabrication. A cet effet, la présente invention porte sur une résistance de puce qui comporte une première électrode (1), une seconde électrode (2), une résistance (3), une première couche intermédiaire (4) qui relie la première électrode (1) et la résistance (3), une seconde couche intermédiaire (5) qui relie la seconde électrode (2) et la résistance (3), un film de recouvrement (61) qui recouvre la première électrode (1) et une section d'oxyde qui est présente dans la première couche intermédiaire (4). L'absorptivité de la matière constituant le film de recouvrement (61) par rapport à la lumière laser ayant une longueur d'onde prescrite est supérieure à celle de la matière constituant la première électrode (1) et la section d'oxyde est configurée à partir d'un oxyde de la matière constituant le film de recouvrement (61).
(JA)【課題】 製造の効率化を図るのに適するチップ抵抗器を提供すること。 【解決手段】 第1電極1と、第2電極2と、抵抗部3と、第1電極1および抵抗部3につながる第1中間層4と、第2電極2および抵抗部3につながる第2中間層5と、第1電極1を覆う被覆膜61と、第1中間層4内に存在する酸化物部とを備え、被覆膜61を構成する材料は、波長が所定波長であるときのレーザ光の吸収率が、第1電極1を構成する材料よりも大きく、上記酸化物部は、被覆膜61を構成する材料の酸化物よりなる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)