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1. (WO2013054823) SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/054823    International Application No.:    PCT/JP2012/076260
Publication Date: 18.04.2013 International Filing Date: 03.10.2012
IPC:
H01L 21/336 (2006.01), G02F 1/1368 (2006.01), G09F 9/30 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 51/50 (2006.01), H05B 33/04 (2006.01), H05B 33/14 (2006.01)
Applicants: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa 2430036 (JP) (For All Designated States Except US).
OKAZAKI, Kenichi [JP/JP]; (JP) (US only).
MIYAMOTO, Toshiyuki; (US only).
HAMOCHI, Takashi; (US only).
NOMURA, Masafumi; (US only)
Inventors: OKAZAKI, Kenichi; (JP).
MIYAMOTO, Toshiyuki; .
HAMOCHI, Takashi; .
NOMURA, Masafumi;
Priority Data:
2011-227163 14.10.2011 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR ET PROCÉDÉ POUR SA FABRICATION
Abstract: front page image
(EN)In a transistor using an oxide semiconductor, entry of hydrogen atoms into an oxide semiconductor film adversely affects reliability. Water is a typical substance including a hydrogen atom, which could enter a semiconductor device after manufacture. Thus, an object of the invention is to reduce the amount of substances including a hydrogen atom, particularly water, entering a semiconductor device using an oxide semiconductor. It was found that a silicon oxynitride film with high density sufficiently prevents entry of water, and does not swell much even in the atmosphere containing water. Accordingly, a silicon oxynitride film with high density is provided as a protective film so as to prevent entry of water into a semiconductor device using an oxide semiconductor. Specifically, a silicon oxynitride film used as the protective film has a density of 2.32 g/cm3 or more.
(FR)L'invention est motivée par le fait que, dans un transistor utilisant un oxyde semiconducteur, la pénétration d'atomes d'hydrogène dans un film d'oxyde semiconducteur affecte défavorablement la fiabilité. L'eau est une des substances typiques comprenant un atome d'hydrogène et susceptibles de pénétrer dans un dispositif à semiconducteur après fabrication. L'invention a donc notamment pour objet de réduire la quantité de substances comprenant un atome d'hydrogène, en particulier l'eau, qui pénètrent dans un dispositif à semiconducteur utilisant un oxyde semiconducteur. Il a été constaté qu'un film d'oxynitrure de silicium à masse volumique élevée empêche suffisamment la pénétration d'eau et ne gonfle pas notablement, même dans une atmosphère contenant de l'eau. En conséquence, un film d'oxynitrure de silicium à masse volumique élevée est mis en œuvre en tant que film protecteur de façon à empêcher la pénétration d'eau dans un dispositif à semiconducteur utilisant un oxyde semiconducteur. Plus particulièrement, un film d'oxynitrure de silicium utilisé comme film protecteur présente une masse volumique d'au moins 2,32 g/cm3.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)