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1. (WO2013054739) METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/054739    International Application No.:    PCT/JP2012/075845
Publication Date: 18.04.2013 International Filing Date: 04.10.2012
IPC:
H01L 27/146 (2006.01), H01L 21/3205 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01)
Applicants: SONY CORPORATION [JP/JP]; 1-7-1, Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075 (JP)
Inventors: INOUE Keishi; (JP).
SHIMIZU Kan; (JP).
UCHIDA Hirohisa; (JP)
Agent: TSUBASA PATENT PROFESSIONAL CORPORATION; 3F, Sawada Building, 15-9, Shinjuku 1-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022 (JP)
Priority Data:
2011-224885 12.10.2011 JP
Title (EN) METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法、及び、半導体装置
Abstract: front page image
(EN)Provided is a method for producing a semiconductor device, the method allowing product yield to be further improved. In this method for producing a semiconductor device, firstly, a stopper layer (31) is formed over an insulating film (30) that has been formed on one surface of a semiconductor member in which a first semiconductor portion and a second semiconductor portion have been bonded together, the film having resistance such that the insulating film is not permeated by a predetermined chemical liquid when treated with the predetermined chemical liquid. Next, on the stopper layer (31) side of the semiconductor member, a Cu wiring joining portion (34) is formed for electrical connection of the first semiconductor portion and the second semiconductor portion. Next, a Cu diffusion prevention layer (33) is formed over the Cu wiring joining portion (34). Next, the area of the Cu diffusion prevention layer (33), except for the area where the Cu wiring joining portion (34) is formed, is removed, exposing unwanted Cu portions (210, 211) present in the area. Using the predetermined chemical liquid, the unwanted Cu portions (210, 211) are then removed.
(FR)La présente invention a trait à un procédé de production d'un dispositif à semi-conducteur, lequel procédé permet d'améliorer davantage le rendement du produit. Dans ce procédé de production d'un dispositif à semi-conducteur, dans un premier temps, une couche d'arrêt (31) est formée au-dessus d'un film isolant (30) qui a été formé sur la surface d'un élément semi-conducteur où une première partie semi-conductrice et une seconde partie semi-conductrice ont été collées l'une à l'autre, le film étant doté d'une résistance permettant au film isolant de ne pas être imprégné par un produit chimique liquide prédéterminé lorsqu'il est traité avec le produit chimique liquide prédéterminé. Par la suite, du côté de la couche d'arrêt (31) de l'élément semi-conducteur, une partie de jonction de câblage en Cu (34) est formée en vue de la connexion électrique de la première partie semi-conductrice et de la seconde partie semi-conductrice. Ensuite, une couche de prévention de diffusion de Cu (33) est formée au-dessus de la partie de jonction de câblage en Cu (34). Par la suite, la zone de la couche de prévention de diffusion de Cu (33), à l'exception de la zone où la partie de jonction de câblage en Cu (34) est formée, est retirée, ce qui expose de la sorte les parties de Cu indésirables (210, 211) qui sont présentes dans la zone. A l'aide du produit chimique liquide prédéterminé, les parties de Cu indésirables (210, 211) sont ensuite retirées.
(JA) より一層、製品の歩留まりを向上させることのできる半導体装置の製造方法を提供する。本開示の半導体装置の製造方法では、まず、第1半導体部及び第2半導体部を貼り合わせた半導体部材の一方の面上に形成された絶縁膜30上に、所定の薬液で処理された際に該所定の薬液が絶縁膜に浸透しないような耐性を有するストッパー膜31を形成する。次いで、半導体部材のストッパー膜31側に、第1半導体部及び第2半導体部を電気的に接続するためのCu配線接合部34を形成する。次いで、Cu配線接合部34上にCu拡散防止膜34を形成する。次いで、Cu配線接合部34の形成領域以外の領域のCu拡散防止膜33を除去して該領域に存在する不要なCu部210,211を露出させる。そして、所定の薬液を用いて、不要なCu部210,211を除去する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)