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1. (WO2013054702) COMPOSITION FOR FORMING RESIST UNDERLAYER FILM, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, PATTERN FORMING METHOD, AND RESIST UNDERLAYER FILM
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/054702    International Application No.:    PCT/JP2012/075568
Publication Date: 18.04.2013 International Filing Date: 02.10.2012
IPC:
G03F 7/11 (2006.01), G03F 7/26 (2006.01)
Applicants: JSR CORPORATION [JP/JP]; 9-2, Higashi-Shinbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058640 (JP)
Inventors: KOUMURA Kazuhiko; (JP).
MINEGISHI Shinya; (JP).
MORI Takashi; (JP).
YASUDA Kyoyu; (JP).
TAKIMOTO Yoshio; (JP).
NAKAFUJI Shinya; (JP).
KIMURA Toru; (JP)
Agent: AMANO Kazunori; c/o Amano & Partners, 6th Floor, Fujikogyo-Nishimotomachi Building, 1-18, Aioi-cho 1-chome, Chuo-ku, Kobe-shi, Hyogo 6500025 (JP)
Priority Data:
2011-225381 12.10.2011 JP
2011-229297 18.10.2011 JP
Title (EN) COMPOSITION FOR FORMING RESIST UNDERLAYER FILM, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, PATTERN FORMING METHOD, AND RESIST UNDERLAYER FILM
(FR) COMPOSITION PERMETTANT DE FORMER UN FILM INFÉRIEUR DE RÉSERVE, PROCÉDÉ POUR SA FABRICATION, PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN MOTIF ET FILM INFÉRIEUR DE RÉSERVE
(JA) レジスト下層膜形成用組成物、その製造方法、パターン形成方法及びレジスト下層膜
Abstract: front page image
(EN)The present invention is a composition for forming a resist underlayer film containing a polymer (A1) having a glass transition temperature (Tg) of 0 to 180°C. The composition preferably further contains an acid generator (B), and is preferably used in a multilayer resist process including a step for forming a silicon oxide film on the surface of the resist underlayer film, and dry-etching the silicon oxide film. The composition preferably further contains a polymer (A2) having a glass transition temperature (Tg) above 180°C. The amount of the polymer (A2) contained in the composition is preferably 10 to 40 wt parts per 100 wt parts of the polymer (A1) and the polymer (A2) combined.
(FR)La présente invention concerne une composition permettant de former un film inférieur de réserve contenant un polymère (A1) possédant une température de transition vitreuse (Tg) de 0 à 180 °C. La composition contient en outre de préférence un générateur d'acide (B) et est de préférence utilisée dans un procédé de réserve multicouche comprenant une étape permettant de former un film d'oxyde de silicium à la surface du film inférieur de réserve, et de graver à sec le film d'oxyde de silicium. De préférence, la composition contient en outre un polymère (A2) possédant une température de transition vitreuse (Tg) supérieure à 180 °C. La quantité de polymère (A2) contenue dans la composition représente de préférence 10 à 40 parties en poids pour 100 parties en poids du polymère (A1) et du polymère (A2) combinés.
(JA) 本発明は、[A1]Tgが0℃以上180℃以下の重合体を含有するレジスト下層膜形成用組成物である。[B]酸発生体をさらに含有することが好ましい。レジスト下層膜表面にシリコン系酸化膜を形成し、このシリコン系酸化膜をドライエッチングする工程を含む多層レジストプロセスに用いることが好ましい。[A2]Tgが180℃を超える重合体をさらに含有することが好ましい。[A2]重合体の含有量が、[A1]重合体と[A2]重合体との合計100質量部に対して、10質量部以上40質量部以下であることが好ましい。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)