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1. (WO2013054655) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, SUBSTRATE PROCESSING METHOD, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, AND RECORDING MEDIUM
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/054655    International Application No.:    PCT/JP2012/074408
Publication Date: 18.04.2013 International Filing Date: 24.09.2012
IPC:
H01L 21/318 (2006.01), C23C 16/42 (2006.01), C23C 16/56 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01)
Applicants: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. [JP/JP]; 14-1, Sotokanda 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1018980 (JP)
Inventors: SHIMAMOTO Satoshi; (JP).
HIROSE Yoshiro; (JP).
SANO Atsushi; (JP)
Agent: YUI Tohru; 21 TOWA BLDG. 3F, 6-1, Iidabashi 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1020072 (JP)
Priority Data:
2011-226852 14.10.2011 JP
Title (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, SUBSTRATE PROCESSING METHOD, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, AND RECORDING MEDIUM
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS, PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET SUPPORT D'ENREGISTREMENT
(JA) 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置および記録媒体
Abstract: front page image
(EN)A thin film that has a predetermined composition containing predetermined elements is formed on a substrate by performing a cycle of steps a predetermined number of times, said cycle comprising: a step wherein a first layer containing the predetermined elements, nitrogen and carbon is formed on the substrate by alternately performing, a predetermined number of times, a process of supplying a first starting material gas containing a predetermined element and a halogen group to the substrate in a process chamber and a process of supplying a second starting material gas containing a predetermined element and an amino group to the substrate in the process chamber; a step wherein a second layer is formed by modifying the first layer by supplying an amine-based starting material gas to the substrate in the process chamber; and a step wherein a third layer is formed by modifying the second layer by supplying a reaction gas that is different from the starting material gases to the substrate in the process chamber.
(FR)Selon l'invention, un film mince qui possède une composition prédéterminée contenant des éléments prédéterminés est formé sur un substrat par exécution d'un cycle d'étapes un nombre prédéterminé de fois, ledit cycle comprenant : une étape à laquelle une première couche contenant les éléments prédéterminés, de l'azote et du carbone est formée sur le substrat par exécution alternativement, un nombre prédéterminé de fois, d'un processus consistant à amener un premier gaz de matière première contenant un élément prédéterminé et un groupe halogène au substrat dans une chambre de traitement et d'un processus consistant à amener un second gaz de matière première contenant un élément prédéterminé et un groupe amino au substrat dans la chambre de traitement ; une étape à laquelle une deuxième couche est formée par modification de la première couche par apport d'un gaz de matière première à base d'amine au substrat dans la chambre de traitement ; et une étape à laquelle une troisième couche est formée par modification de la deuxième couche par apport d'un gaz de réaction qui est différent des gaz de matière première au substrat dans la chambre de traitement.
(JA) 処理室内の基板に対して所定元素およびハロゲン基を含む第1の原料ガスを供給する工程と、処理室内の基板に対して所定元素およびアミノ基を含む第2の原料ガスを供給する工程と、を交互に所定回数行うことで、基板上に、所定元素、窒素および炭素を含む第1の層を形成する工程と、処理室内の基板に対してアミン系原料ガスを供給することで、第1の層を改質して、第2の層を形成する工程と、処理室内の基板に対して各原料ガスとは異なる反応ガスを供給することで、第2の層を改質して、第3の層を形成する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことで、基板上に、所定元素を含む所定組成の薄膜を形成する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)