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1. (WO2013054184) MULTI JUNCTIONS IN A SEMICONDUCTOR DEVICE FORMED BY DIFFERENT DEPOSITION TECHNIQUES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/054184    International Application No.:    PCT/IB2012/002062
Publication Date: 18.04.2013 International Filing Date: 08.10.2012
IPC:
H01L 31/0687 (2012.01), H01L 31/18 (2006.01), H01L 31/0304 (2006.01), H01L 31/0693 (2012.01), H01L 21/203 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01)
Applicants: SOITEC [FR/FR]; Chemin des Franques Parc Technologique des Fontaines F-38190 Bernin (FR)
Inventors: KRAUSE, Rainer; (DE).
GHYSELEN, Bruno; (FR)
Priority Data:
1159154 11.10.2011 FR
Title (EN) MULTI JUNCTIONS IN A SEMICONDUCTOR DEVICE FORMED BY DIFFERENT DEPOSITION TECHNIQUES
(FR) JONCTIONS MULTIPLES DANS UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS FORMÉ PAR DIFFÉRENTES TECHNIQUES DE DÉPÔT
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor device, in particular a solar cell (450) is formed on the basis of a hybrid deposition strategy using MOCVD and MBE in order to provide lattice matched semiconductor compounds (452, 453, 454). To this end, the MBE may be applied for providing a nitrogen-containing semiconductor compound (453) that allows a desired low band gap energy and a lattice matched configuration with respect to gallium arsenide substrates.
(FR)L'invention concerne un dispositif à semi-conducteurs, en particulier une cellule solaire (450), formé sur la base d'une stratégie de dépôt hybride à l'aide d'un procédé MOCVD et un MBE afin de fournir des composés à semi-conducteurs à concordance de réseau (452, 453, 454). Dans ce but, le MBE peut être appliqué pour fournir un composé à semi-conducteurs contenant de l'azote (453) qui permet d'obtenir une énergie de bande interdite faible souhaitée et une conception à concordance de réseau par rapport à des substrats d'arséniure de gallium.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)