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1. (WO2013053420) POWER SEMI-CONDUCTOR CHIP WITH A METAL MOULDED BODY FOR CONTACTING THICK WIRES OR STRIPS, AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/053420    International Application No.:    PCT/EP2012/003787
Publication Date: 18.04.2013 International Filing Date: 10.09.2012
IPC:
H01L 21/60 (2006.01), H01L 23/485 (2006.01)
Applicants: DANFOSS SILICON POWER GMBH; Heinrich-Hertz-Strasse 2 24837 Schleswig (DE) (For All Designated States Except US).
BECKER, Martin [DE/DE]; (DE) (For US Only).
EISELE, Ronald [DE/DE]; (DE) (For US Only).
OSTERWALD, Frank [DE/DE]; (DE) (For US Only).
RUDZKI, Jacek [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: BECKER, Martin; (DE).
EISELE, Ronald; (DE).
OSTERWALD, Frank; (DE).
RUDZKI, Jacek; (DE)
Agent: DANFOSS A/S; Intellectual Property, L25 Nordborgvej 81 DK-6430 Nordborg (DK)
Priority Data:
10 2011 115 887.5 15.10.2011 DE
Title (DE) LEISTUNGSHALBLEITERCHIP MIT METALLISCHEN FORMKÖRPERN ZUM KONTAKTIEREN MIT DICKDRÄHTEN ODER BÄNDCHEN SOWIE VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG
(EN) POWER SEMI-CONDUCTOR CHIP WITH A METAL MOULDED BODY FOR CONTACTING THICK WIRES OR STRIPS, AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
(FR) PUCE DE SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE DOTÉE DE CORPS MOULÉS MÉTALLIQUES POUR LA MISE EN CONTACT ÉLECTRIQUE AVEC DE GROS FILS OU DES BANDELETTES, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION
Abstract: front page image
(DE)Leistungshalbleiterchip (10) mit wenigstens einer oberseitigen Potentialfläche und kontaktierenden Dickdrähten (50) oder Bändchen, mit einer Verbindungsschicht (1) auf den Potentialflächen, und wenigstens einem metallischen Formkörper (24, 25) auf der oder den Verbindungsschicht(en), dessen zur Potentialfläche gewandte untere Flachseite zur Fügung mit einem Verbindungsverfahren der Verbindungsschicht (1) gemäß beschichtet ausgebildet ist, und dessen Materialzusammensetzung und Dicke derjenigen der im Kontaktverfahren verwandten Dickdrähte (50) oder Bändchen auf der Formkörper-Oberseite in der Größenordnung entsprechend gewählt ist.
(EN)The invention relates to a power semiconductor chip (10) having at least one upper-sided potential surface and contacting thick wires (50) or strips, comprising a connecting layer (1) on the potential surfaces, and at least one metal moulded body (24, 25) on the connecting layer(s), the lower flat side thereof facing the potential surface being provided with a coating to be applied to the connecting layer (1) according to a connection method, and the material composition thereof and the thickness of the related thick wires (50) or strips arranged on the upper side of the moulded body used according to the method for contacting are selected corresponding to the magnitude.
(FR)Puce de semi-conducteur de puissance (10) dotée d'au moins une surface de potentiel supérieure et de gros fils (50) ou bandelettes de mise en contact électrique, comprenant une couche de liaison (1) sur les surfaces de potentiel, et au moins un corps moulé métallique (24, 25) sur lequel ou lesquels une/des couches de liaison, dont le côté plat inférieur tourné vers la surface de potentiel est pourvu d'un revêtement destiné à être assemblé à la couche de liaison (1) selon un procédé de liaison, et dont la composition de matériau et l'épaisseur des gros fils (50) ou bandelettes situés sur la face supérieure du corps moulé et utilisés selon le procédé de mise en contact électrique sont choisis de manière correspondante à l'ordre de grandeur.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)