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1. (WO2013053175) SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/053175    International Application No.:    PCT/CN2011/083324
Publication Date: 18.04.2013 International Filing Date: 01.12.2011
IPC:
H01L 29/49 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Applicants: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN/CN]; No.3 Beitucheng West Road, Chaoyang District Beijing 100029 (CN) (For All Designated States Except US).
YIN, Haizhou [CN/US]; (US) (For US Only).
YU, Weize [CN/CN]; (CN) (For US Only)
Inventors: YIN, Haizhou; (US).
YU, Weize; (CN)
Agent: HANHOW INTELLECTUAL PROPERTY PARTNERS; ZHU, Haibo W1-1111, F/11 Oriental plaza, No.1 East Chang An Avenue, Dongcheng District Beijing 100738 (CN)
Priority Data:
201110306885.4 11.10.2011 CN
Title (EN) SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) STRUCTURE SEMICONDUCTRICE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLE-CI
(ZH) 一种半导体结构及其制造方法
Abstract: front page image
(EN)The present invention provides a semiconductor structure and a manufacturing method thereof. The method comprises the following steps: providing a substrate, and forming on the substrate a sacrifice gate, and a side wall and a source/drain region located at two sides of the sacrifice gate; forming an inter-layer dielectric layer covering the source/drain region, the sacrifice gate, and the side wall; removing the sacrifice gate to form a cavity in the side wall; forming in the cavity a first oxygen absorption layer contacting an inner wall of the side wall; forming in the remaining space of the cavity a second oxygen absorption layer, an oxygen absorption capability of the first oxygen absorption layer being lower than that of the second oxygen absorption layer; and performing annealing so as to form an interface layer on the surface of the substrate. Correspondingly, the present invention further provides a semiconductor structure. In the present invention, the symmetric interface layer is formed in the channel region, so that the process complexity is reduced while the short channel effect is effectively controlled and the carrier mobility is not reduced.
(FR)La présente invention concerne une structure semiconductrice et un procédé de fabrication de celle-ci. Le procédé comprend les étapes suivantes : fournir un substrat et former sur le substrat une grille sacrificielle, ainsi qu'une paroi latérale et une région de source/de drain sur les deux côtés de la grille sacrificielle ; former une couche diélectrique intercouche recouvrant la région de source/de drain, la grille sacrificielle et la paroi latérale ; éliminer la grille sacrificielle pour former une cavité dans la paroi latérale ; former dans la cavité une première couche d'absorption d'oxygène au contact d'une paroi intérieure de la paroi latérale ; former dans l'espace restant de la cavité une seconde couche d'absorption d'oxygène, la capacité d'absorption d'oxygène de la première couche d'absorption d'oxygène étant inférieure à celle de la seconde couche d'absorption d'oxygène ; et exécuter un recuit de manière à former une couche d'interface à la surface du substrat. De manière correspondante, la présente invention concerne en outre une structure semiconductrice. Dans la présente invention, la couche d'interface symétrique est formée dans la région de canal, si bien que la complexité du processus est réduite alors que l'effet de canal court est efficacement maîtrisé et que la mobilité des porteurs n'est pas réduite.
(ZH)本发明提供一种半导体结构及其制造方法,该方法包括以下步骤:提供衬底,在衬底上形成牺牲栅,位于牺牲栅两侧的侧墙和源/漏区;形成覆盖源/漏区、牺牲栅以及侧墙的层间介质层;去除牺牲栅从而在侧墙内形成一个空腔;在空腔内形成与侧墙内壁相接触的第一氧吸收层;在空腔的其余空间形成第二氧吸收层,第一氧吸收层的氧吸收能力小于第二氧吸收层;进行退火以使得所述衬底的表面形成界面层。相应地,本发明还提供一种半导体结构。本发明通过在沟道区形成对称的界面层,在有效控制短沟道效应并保证载流子迁移率不下降的情况下,降低了工艺复杂度。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)