WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2013053085) SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/053085    International Application No.:    PCT/CN2011/002002
Publication Date: 18.04.2013 International Filing Date: 30.11.2011
IPC:
H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/10 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Applicants: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN/CN]; No.3, Beitucheng West Road, Chaoyang District Beijing 100029 (CN) (For All Designated States Except US).
WANG, Guilei [CN/CN]; (CN) (For US Only)
Inventors: WANG, Guilei; (CN)
Agent: CHINA PATENT AGENT (H.K.) LTD.; 22/F, Great Eagle Centre 23 Harbour Road, Wanchai Hong Kong (CN)
Priority Data:
201110303593.5 09.10.2011 CN
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
(ZH) 半导体器件及其制造方法
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor device comprises a substrate (10), an epitaxially grown channel layer in the substrate (10), a gate stack structure on the channel layer, gate side walls (30) at two sides of the gate stack structure, and source and drain regions (11, 12) at two sides of the channel layer in the substrate (10). The carrier mobility of the channel layer is higher than that of the substrate (10). In a gate-last process, an epitaxial material with high mobility is used for filling a trench to form a channel region of the device, thereby improving the carrier mobility of the channel region, improving a response speed of the device, and enhancing the performance of the device. Moreover, the material of the source/drain region of the device is still a traditional substrate material so that the gate-last process is convenient to use, thereby improving the performance while reducing the cost.
(FR)L'invention concerne un dispositif semiconducteur comprenant un substrat (10), une couche de canal obtenue par croissance épitaxiale dans le substrat (10), une structure de grille empilée sur la couche de canal, des parois latérales de grille (30) sur les deux côtés de la structure de grille empilée et des régions de source et de drain (11, 12) sur les deux côtés de la couche de canal dans le substrat (10). La mobilité des porteurs dans la couche de canal est supérieure à celle dans le substrat (10). Dans un processus à grille finale, un matériau épitaxial à mobilité élevée est utilisé pour remplir une tranchée afin de former une région de canal du dispositif, ce qui améliore la mobilité de porteurs de la région de canal, la vitesse de réponse du dispositif et les performances du dispositif. Qui plus est, le matériau de la région de source/de drain du dispositif reste un matériau traditionnel de substrat, si bien que le processus à grille finale est facile à utiliser, ce qui améliore les performances tout en réduisant les coûts.
(ZH)一种半导体器件,包括:衬底(10)、衬底(10)中外延生长的沟道层、沟道层上的栅极堆叠结构、栅极堆叠结构两侧的栅极侧墙(30)以及衬底(10)中沟道层两侧的源漏区(11/12),沟道层的载流子迁移率高于衬底(10)的载流子迁移率。在后栅工艺中采用外延的高迁移率材料填充沟槽形成器件沟道区,提高了沟道区载流子迁移率,从而提高了器件的响应速度,增强了器件的性能。此外,器件源漏区仍采用传统衬底材料而便于采用后栅工艺,提高性能的同时降低了成本。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)