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1. (WO2013052864) SUPERCONDUCTING NANOWIRE AVALANCHE PHOTODETECTORS (SNAPS) WITH FAST RESET TIME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/052864    International Application No.:    PCT/US2012/059055
Publication Date: 11.04.2013 International Filing Date: 05.10.2012
IPC:
H01L 27/18 (2006.01)
Applicants: MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY [US/US]; 77 Massachusetts Avenue Cambridge, MA 02139 (US)
Inventors: MARSILI, Francesco; (US).
BERGGREN, Karl, K.; (US)
Agent: OYER, Timothy, J.; Wolf, Greenfield & Sacks, P.C. 600 Atlantic Avenue Boston, MA 02210-2206 (US)
Priority Data:
61/544,334 07.10.2011 US
Title (EN) SUPERCONDUCTING NANOWIRE AVALANCHE PHOTODETECTORS (SNAPS) WITH FAST RESET TIME
(FR) PHOTODÉTECTEURS À AVALANCHE À NANOFILS SUPRACONDUCTEURS (SNAP) À TEMPS DE RÉINITIALISATION COURT
Abstract: front page image
(EN)A superconducting nanowire avalanche photodetector (SNAP) with improved high-speed performance. An inductive element may be coupled in series with at least two parallel-coupled nanowires. The nanowires may number 5 or fewer, and may be superconducting and responsive to even a single photon. The series inductor may ensure current diverted from a photon-absorbing nanowire propagates to other nanowires and become amplified. The series inductance may be less than 10 times the nominal inductance per nanowire, and may also be larger than a minimum inductance to avoid spurious outputs in response to a photon absorption. The series inductance may be configured to achieve a desired tradeoff between SNAP reset time and spurious outputs. For example, the series inductance may be configured achieve minimum reset time or maximum bias margin, subject to user-defined constraints. By appropriately configuring the series inductance, a systematic method of designing improved SNAPs may be provided.
(FR)La présente invention concerne un photodétecteur à avalanche à nanofils supraconducteurs (SNAP) présentant un fonctionnement à grande vitesse amélioré. Un élément inductif peut être couplé en série à au moins deux nanofils couplés en parallèle. Le nombre de nanofils peut être inférieur ou égal à 5. Les nanofils peuvent être supraconducteurs et sensibles même à un unique photon. L'inducteur en série peut garantir qu'un courant dérivé d'un nanofil à absorption de photons se transmet à d'autres nanofils et s'amplifie. L'inductance en série peut être inférieure à 10 fois l'inductance nominale par nanofil et peut également être supérieure à une inductance minimum de façon à éviter des sorties parasites en réponse à une absorption de photons. L'inductance en série peut être configurée de manière à obtenir un compromis souhaité entre le temps de réinitialisation du SNAP et les sorties parasites. L'inductance en série peut par exemple être configurée de manière à obtenir un temps de réinitialisation minimum ou une marge de polarisation maximum, en fonction des contraintes définies par l'utilisateur. En configurant adéquatement l'inductance en série, il est possible d'obtenir un procédé systématique de conception de SNAP améliorés.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)