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1. (WO2013052456) SILICON NANOSTRUCTURE ACTIVE MATERIALS FOR LITHIUM ION BATTERIES AND PROCESSES, COMPOSITIONS, COMPONENTS, AND DEVICES RELATED THERETO
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/052456    International Application No.:    PCT/US2012/058418
Publication Date: 11.04.2013 International Filing Date: 02.10.2012
IPC:
H01M 4/1395 (2010.01), H01M 4/38 (2006.01), H01M 10/0525 (2010.01), B82B 3/00 (2006.01), H01M 4/66 (2006.01)
Applicants: ONED MATERIAL LLC [US/US]; 2625 Hanover Street Palo Alto, California 94304 (US)
Inventors: ZHU, Yimin; (US).
DU, Chunsheng; (US).
SHIN, Joon; (US)
Agent: FEATHERSTONE, Donald J.; Sterne, Kessler, Goldstein & Fox P.L.L.C. 1100 New York Avenue, N.W. Washington, DC 20005-3934 (US)
Priority Data:
61/543,791 05.10.2011 US
Title (EN) SILICON NANOSTRUCTURE ACTIVE MATERIALS FOR LITHIUM ION BATTERIES AND PROCESSES, COMPOSITIONS, COMPONENTS, AND DEVICES RELATED THERETO
(FR) MATÉRIAUX ACTIFS À NANOSTRUCTURE DE SILICIUM POUR BATTERIES AU LITHIUM-ION ET PROCÉDÉS, COMPOSITIONS, COMPOSANTS ET DISPOSITIFS S'Y RAPPORTANT
Abstract: front page image
(EN)The present invention relates to nanostructured materials for use in rechargeable energy storage devices such as lithium batteries, particularly rechargeable secondary lithium batteries, or lithium-ion batteries (LIBs). The present invention includes materials, components, and devices, including nanostructured materials for use as battery active materials, and lithium ion battery (LIB) electrodes comprising such nanostructured materials, as well as manufacturing methods related thereto. Exemplary nanostructured materials include silicon-based nanostructures such as silicon nanowires and coated silicon nanowires, nanostructures disposed on substrates comprising active materials or current collectors such as silicon nanowires disposed on graphite particles or copper electrode plates, and LIB anode composites comprising high-capacity active material nanostructures formed on a porous copper and/or graphite powder substrate.
(FR)La présente invention porte sur des matériaux nanostructurés destinés à être utilisés dans des dispositifs de stockage d'énergie rechargeables, tels que des batteries au lithium, en particulier des batteries au lithium secondaires, rechargeables, ou des batteries au lithium-ion (LIB). La présente invention comprend des matériaux, des composants et des dispositifs, y compris des matériaux nanostructurés destinés à être utilisés en tant que matériaux actifs de batterie, et des électrodes de batterie au lithium-ion (LIB) comprenant de tels matériaux nanostructurés, ainsi que des procédés de fabrication s'y rapportant. Des matériaux nanostructurés donnés à titre d'exemple comprennent des nanostructures à base de silicium, telles que des nanofils de silicium et des nanofils de silicium revêtus, des nanostructures disposées sur des substrats comportant des matériaux actifs ou des collecteurs de courant, telles que des nanofils de silicium disposés sur des particules de graphite ou des plaques d'électrode de cuivre, et des composites d'anode de LIB comportant des nanostructures de matériau actif à forte capacité formées sur un substrat en poudre de cuivre et/ou de graphite poreux.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)