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1. (WO2013052235) DIFFERENTIAL PRESSURE SENSOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/052235    International Application No.:    PCT/US2012/054209
Publication Date: 11.04.2013 International Filing Date: 07.09.2012
IPC:
G01L 9/00 (2006.01), G01L 13/02 (2006.01), G01L 19/14 (2006.01)
Applicants: CONTINENTAL AUTOMOTIVE SYSTEMS, INC. [US/US]; One Continental Drive Auburn Hills, Michigan 48326 (US) (For All Designated States Except US).
CHIOU, Jen-Huang Albert [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: CHIOU, Jen-Huang Albert; (US)
Agent: KLEIN, William; 21440 W. Lake Cook Road Deer Park, Illinois 60010 (US)
Priority Data:
13/267,965 07.10.2011 US
Title (EN) DIFFERENTIAL PRESSURE SENSOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF CAPTEUR DE PRESSION DIFFÉRENTIELLE
Abstract: front page image
(EN)A MEMS differential pressure sensing element is provided by two separate silicon dies attached to opposite sides of a silicon or glass spacer. The spacer is hollow. If the spacer is silicon, the dies are preferably attached to the hollow spacer using silicon-to-silicon bonding provided in part by silicon oxide layers. If the spacer is glass, the dies can be attached to the hollow spacer using anodic bonding. Conductive vias extend through the layers and provide electrical connections between Wheatstone bridge circuits formed from piezoresistors in the silicon dies.
(FR)La présente invention concerne un élément de dispositif capteur de pression différentielle de technologie microsystème électromécanique muni de deux puces de silicium fixées à des côtés opposés d'une entretoise de silicium ou de verre. L'entretoise est creuse. Si l'entretoise est réalisée en silicium, les puces sont de préférence fixées à l'entretoise creuse au moyen de liaison silicium-silicium fournie en partie par des couches d'oxyde de silicium. Si l'entretoise est réalisée en verre, les puces peuvent être fixées à l'entretoise creuse au moyen de liaison anodique. Des trous d'interconnexion conducteurs s'étendent à travers les couches et fournissent des connexions entre des circuits à pont de Wheatstone formés à partir de résistances piézo-électriques dans les puces de silicium.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)