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1. (WO2013051558) COMPOSITION FOR FORMING SILICON-CONTAINING EUV RESIST UNDERLAYER FILM
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/051558    International Application No.:    PCT/JP2012/075507
Publication Date: 11.04.2013 International Filing Date: 02.10.2012
IPC:
G03F 7/11 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
Applicants: NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 7-1, Kandanishiki-cho 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010054 (JP)
Inventors: SHIGAKI, Shuhei; (JP).
YAGUCHI, Hiroaki; (JP).
SAKAMOTO, Rikimaru; (JP).
HO, Bang-ching; (JP)
Agent: HANABUSA, Tsuneo; c/o Hanabusa Patent Office, Shin-Ochanomizu Urban Trinity, 2, Kandasurugadai 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010062 (JP)
Priority Data:
2011-222120 06.10.2011 JP
Title (EN) COMPOSITION FOR FORMING SILICON-CONTAINING EUV RESIST UNDERLAYER FILM
(FR) COMPOSITION POUR FORMER UN FILM DE SOUS-COUCHE DE RÉSERVE POUR EUV CONTENANT DU SILICIUM
(JA) ケイ素含有EUVレジスト下層膜形成組成物
Abstract: front page image
(EN)[Problem] To provide: a resist underlayer film for lithography, whereby it becomes possible to improve the exposure light sensitivity of an EUV resist and reduce an out gas generated during the exposure with EUV light; and a composition for forming a resist underlayer film, which can be used for the formation of the above-mentioned underlayer film. [Solution] A composition for forming a resist underlayer film for EUV lithography, which contains, as a silane, a hydrolysable silane, a hydrolysate or a hydrolysis/condensation product of the hydrolysable silane, or a mixture thereof, wherein the hydrolysable silane comprises a combination of tetramethoxysilane, an alkyltrimethoxysilane and an aryltrialkoxysilane, and the aryltrialkoxysilane is represented by formula (1) (wherein R1 represents an aromatic ring comprising a benzene ring or a naphthalene ring or a ring containing an isocyanuric acid structure; R2 represents a substituent for a hydrogen atom in an aromatic ring, and is a halogen atom or an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms; and X represents an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, an acyloxy group having 2 to 10 carbon atoms, or a halogen group).
(FR)[Problème] L'invention a pour objet de réaliser : un film de sous-couche de réserve pour lithographie, au moyen duquel il devient possible d'améliorer la sensibilité à la lumière d'exposition d'une réserve pour UVE et de réduire un effluent gazeux généré pendant l'exposition à une lumière UVE; et une composition destinée à former un film de sous-couche de réserve, qui peut être utilisée pour la formation du film de sous-couche susmentionné. [Solution] Une composition selon l'invention, destinée à former un film de sous-couche de réserve pour lithographie UVE, contient en tant que silane un silane hydrolysable, un hydrolysat ou un produit d'hydrolyse / de condensation du silane hydrolysable, ou un mélange de ceux-ci, le silane hydrolysable comportant une combinaison de tétraméthoxysilane, d'un alkyl triméthoxysilane et d'un aryl trialcoxysilane, et l'aryl trialcoxysilane étant représenté par la formule (1) (R1 représentant un cycle aromatique constitué d'un cycle benzénique ou d'un cycle de naphthalène, ou d'un cycle contenant une structure d'acide isocyanurique; R2 représentant un substituant d'un atome d'hydrogène dans un cycle aromatique, et étant un atome d'halogène ou un groupe alcoxy comprenant 1 à 10 atomes de carbone; et X représentant un groupe alcoxy comprenant 1 à 10 atomes de carbone, un groupe acyloxy comprenant 2 à 10 atomes de carbone ou un groupe halogène).
(JA)【課題】 EUVレジストの露光感度向上や、EUV光で露光時にアウトガス発生が少ないリソグラフィー用レジスト下層膜及び該下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成組成物を提供する。 【解決手段】 シランとして、加水分解性シラン、その加水分解物、その加水分解縮合物、又はそれらの混合物を含み、該加水分解性シランがテトラメトキシシランとアルキルトリメトキシシランとアリールトリアルコキシシランとの組み合わせを含み、該アリールトリアルコキシシランは下記式(1): (式(1)中で、R1はベンゼン環若しくはナフタレン環からなる芳香族環又はイソシアヌル酸構造を含む環を示し、R2は芳香族環の水素原子の置換基であってハロゲン原子、又は炭素数1乃至10のアルコキシ基であり、Xは炭素数1乃至10のアルコキシ基、炭素数2乃至10のアシルオキシ基、又はハロゲン基である。)であるEUVリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)