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1. (WO2013051323) SOLAR CELL ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/051323    International Application No.:    PCT/JP2012/069020
Publication Date: 11.04.2013 International Filing Date: 26.07.2012
IPC:
H01L 31/068 (2012.01)
Applicants: Mitsubishi Electric Corporation [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP) (For All Designated States Except US).
TANIGAKI, Tsuyoshi [--/JP]; (JP) (For US Only).
KATSURA, Tomotaka [--/JP]; (JP) (For US Only).
MATSUNO, Shigeru [--/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: TANIGAKI, Tsuyoshi; (JP).
KATSURA, Tomotaka; (JP).
MATSUNO, Shigeru; (JP)
Agent: SAKAI, Hiroaki; Sakai International Patent Office, Kasumigaseki Building, 2-5, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006020 (JP)
Priority Data:
2011-219341 03.10.2011 JP
Title (EN) SOLAR CELL ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) ÉLÉMENT DE CELLULE SOLAIRE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 太陽電池素子およびその製造方法
Abstract: front page image
(EN)This solar cell element is provided with: a first conductivity-type P-type silicon substrate (1), which has an N-type impurity diffused layer (2) formed on one surface side and on a portion extending to the other surface side from the one surface side, said N-type impurity diffused layer having a second conductivity-type impurity element diffused therein; a light receiving surface-side silver electrode, which is formed on one surface side of the P-type silicon substrate (1) by being electrically connected to the N-type impurity diffused layer (2); a rear surface-side aluminum electrode formed on the other surface-side of the P-type silicon substrate (1); and a PN isolation trench (7), which is provided to reach the inside of the P-type silicon substrate (1) from the front surface of the N-type impurity diffused layer (2), and electrically isolates the N-type impurity diffused layer (2) electrically connected to the light receiving surface-side silver electrode, and the rear surface-side aluminum electrode from each other. The PN isolation trench (7) has a double-level structure configured of: a shallow trench (9), which is deeper than the N-type impurity diffused layer (2); and a deep trench (10), which has a width less than that of the shallow trench (9) and a depth more than that of the shallow trench (9), and is formed in the width direction of the shallow trench (9) in the trench of the shallow trench (9), said deep trench being formed at the bottom surface portion of the shallow trench (9).
(FR)La présente invention porte sur un élément de cellule solaire qui comporte : un substrat de silicium de type P d'un premier type de conductivité (1), qui a une couche diffusée d'impuretés de type N (2) formée sur un côté surface et sur une partie s'étendant à l'autre côté surface depuis le premier côté surface, ladite couche diffusée d'impuretés de type N ayant un élément d'impureté d'un second type de conductivité diffusé dans celle-ci ; une électrode d'argent côté surface recevant la lumière, qui est formée sur un côté surface du substrat de silicium de type P (1) qui est électriquement relié à la couche diffusée d'impuretés de type N (2) ; une électrode d'aluminium côté surface arrière, formée sur l'autre côté surface du substrat de silicium de type P (1) ; et une tranchée d'isolation PN (7), qui est disposée pour atteindre l'intérieur du substrat de silicium de type P (1) depuis la surface avant de la couche diffusée d'impuretés de type N (2), et isole électriquement l'une de l'autre la couche diffusée d'impuretés de type N (2) électriquement reliée à l'électrode d'argent côté surface recevant la lumière et l'électrode d'aluminium côté surface arrière. La tranchée d'isolation PN (7) a une structure à double niveau constituée de : une tranchée peu profonde (9), qui est plus profonde que la couche diffusée d'impuretés de type N (2) ; et une tranchée profonde (10), qui a une largeur inférieure à celle de la tranchée peu profonde (9) et une profondeur supérieure à celle de la tranchée peu profonde (9), et est formée dans la direction de la largeur de la tranchée peu profonde (9) dans la tranchée de la tranchée peu profonde (9), ladite tranchée profonde étant formée à la partie de surface de fond de la tranchée peu profonde (9).
(JA) 第2導電型の不純物元素が拡散されたN型不純物拡散層2が一面側および一面側から他面側に回り込んで形成された第1導電型のP型シリコン基板1と、前記N型不純物拡散層2に電気的に接続して前記P型シリコン基板1の一面側に形成された受光面側銀電極と、前記P型シリコン基板1の他面側に形成された裏面側アルミニウム電極と、前記N型不純物拡散層2の表面から前記P型シリコン基板1の内部に達して設けられ、前記受光面側銀電極に電気的に接続する前記N型不純物拡散層2と前記裏面側アルミニウム電極とを電気的に分離するPN分離溝7と、を備え、前記PN分離溝7は、前記N型不純物拡散層2よりも深い浅溝9と、前記浅溝9の底面部において前記浅溝9の幅方向において前記浅溝9の溝の内側に形成されて前記浅溝9よりも幅が狭く且つ前記浅溝9よりも深さの深い深溝10と、により構成される2段構造の溝である。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)