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1. (WO2013051221) THIN-FILM ELEMENT, THIN-FILM ELEMENT ARRAY, AND METHOD OF MANUFACTURING THIN-FILM ELEMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/051221    International Application No.:    PCT/JP2012/006145
Publication Date: 11.04.2013 International Filing Date: 26.09.2012
Chapter 2 Demand Filed:    13.06.2013    
IPC:
H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Applicants: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP)
Inventors: ODA, Tomohiko; .
KAWASHIMA, Takahiro;
Agent: NII, Hiromori; c/o NII Patent Firm, 6F, Tanaka Ito Pia Shin-Osaka Bldg.,3-10, Nishi Nakajima 5-chome, Yodogawa-ku, Osaka-city, Osaka 5320011 (JP)
Priority Data:
2011-219580 03.10.2011 JP
2011-219581 03.10.2011 JP
2011-219582 03.10.2011 JP
2011-219583 03.10.2011 JP
2012-011657 24.01.2012 JP
2012-011822 24.01.2012 JP
Title (EN) THIN-FILM ELEMENT, THIN-FILM ELEMENT ARRAY, AND METHOD OF MANUFACTURING THIN-FILM ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT À COUCHES MINCES, RÉSEAU D'ÉLÉMENTS À COUCHES MINCES ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT À COUCHES MINCES
(JA) 薄膜素子、薄膜素子アレイ及び薄膜素子の製造方法
Abstract: front page image
(EN)A thin-film element (201) according to the present invention comprises a first element section (201A) and a second element section (201B). The first element section is provided with a first gate electrode (211A) and a first crystalline silicon thin-film (215A) that is positioned opposing the first gate electrode. The second element section is provided with a second gate electrode (211B) and a second crystalline silicon thin-film (215B) positioned opposing the second gate electrode. The first crystalline silicon thin-film comprises belt-shaped first regions (51) and second regions (52) the average crystal particle diameter of which is smaller than that of the belt-shaped first regions, and the first element section uses at least a portion of the belt-shaped first regions as a channel. The second crystalline silicon thin-film comprises a second crystal region (50B) the average crystal particle diameter of which is smaller than that of the belt-shaped first regions (51), and the second element section uses the second crystal region as a channel. The belt-shaped first regions comprise a plurality of crystal particles that come in contact with each of the second regions, which are positioned at both sides of the belt-shaped first regions.
(FR)Cette invention concerne un élément à couche mince (201) comprenant une première section d'élément (201A) et une seconde section d'élément (201B). Ladite première section d'élément est dotée d'une première électrode grille (211A) et d'une première couche mince de silicium cristallin (215A) disposée face à l'électrode grille. La seconde section d'élément est dotée d'une seconde électrode grille (211B) et d'une seconde couche mince de silicium cristallin (215B) disposée face à la seconde électrode grille. La première couche mince de silicium cristallin comprend de premières régions en forme de ceinture (51) et de secondes régions (52) qui présentent un diamètre moyen des particules cristallines inférieur à celui des premières régions en forme de ceinture. Ladite première section d'élément met en œuvre au moins une partie des premières régions en forme de ceinture en tant que canal. La seconde couche mince de silicium cristallin comprend une seconde région cristalline (50B) présentant un diamètre moyen des particules cristallines inférieur à celui des premières régions en forme de ceinture (51). Ladite seconde section d'élément met en œuvre la seconde région cristalline en tant que canal. Les premières régions en forme de ceinture comprennent une pluralité de particules cristallines qui entrent en contact avec chacune des secondes régions qui sont disposées des deux côtés des premières régions en forme de ceinture.
(JA) 本発明に係る薄膜素子(201)は、第1素子部(201A)と第2素子部(201B)とを有する。第1素子部は、第1ゲート電極(211A)と、第1ゲート電極と対向して位置する第1結晶性シリコン薄膜(215A)とを備える。第2素子部は、第2ゲート電極(211B)と、第2ゲート電極と対向して位置する第2結晶性シリコン薄膜(215B)とを備える。第1結晶性シリコン薄膜は、帯形状の第1領域(51)と、帯形状の第1領域よりも平均結晶粒径が小さい第2領域(52)とを含み、第1素子部は、帯形状の第1領域の少なくとも一部をチャネルとする。第2結晶性シリコン薄膜は、帯形状の第1領域(51)よりも平均結晶粒径が小さい第2結晶領域(50B)を含み、第2素子部は、第2結晶領域をチャネルとする。帯形状の第1領域は、当該帯形状の第1領域の両側に位置する前記第2領域のそれぞれと接触する結晶粒を複数有する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)