WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2013050927) METHOD OF FORMING A CRYSTALLISED SILICON LAYER ON THE SURFACE OF A PLURALITY OF SUBSTRATES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/050927    International Application No.:    PCT/IB2012/055272
Publication Date: 11.04.2013 International Filing Date: 02.10.2012
IPC:
C30B 19/06 (2006.01), C23C 18/02 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01)
Applicants: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES [FR/FR]; 25 rue Leblanc, Bâtiment Le Ponant D F-75015 Paris (FR)
Inventors: BRIZE, Virginie; (FR).
GARANDET, Jean-Paul; (FR).
GIRAUD, Stephen; (FR).
PIHAN, Etienne; (FR)
Agent: LE COUPANEC, Pascale; Nony 3 rue de Penthièvre F-75008 Paris (FR)
Priority Data:
11 58983 05.10.2011 FR
Title (EN) METHOD OF FORMING A CRYSTALLISED SILICON LAYER ON THE SURFACE OF A PLURALITY OF SUBSTRATES
(FR) PROCEDE DE FORMATION D'UNE COUCHE DE SILICIUM CRISTALLISEE EN SURFACE DE PLUSIEURS SUBSTRATS
Abstract: front page image
(EN)The present invention concerns a method of forming, by liquid phase epitaxial growth, on the surface of a plurality of substrates, a layer of crystallised silicon having a grain size greater than or equal to 200 µm, comprising at least the steps consisting of: (i) arranging a liquid bath formed from a liquid metal solvent phase in which liquid silicon is homogeneously dispersed; (ii) immersing, in the bath of step (i), said substrates (1), in such a way that each of the surfaces of the substrates (1) that need to be coated is in contact with the liquid bath, said surfaces being arranged parallel to one another, and perpendicularly to the interface (3) of the liquid bath (2) and the gas atmosphere (4) contiguous to said liquid bath or according to an inclination angle of at least 45° in relation to said interface (3); (iii) imposing, on the whole of step (ii), conditions conducive to the vaporisation of said liquid solvent phase and to the establishing of a natural convection movement of the liquid bath in the vicinity of the surfaces to be coated of the substrates, which are held in fixed position; and (iv) recovering the substrates coated with the crystallised silicon layer formed at the end of step (iii).
(FR)La présente invention concerne un procédé pour former, par croissance épitaxiale en phase liquide, en surface de plusieurs substrats, une couche de silicium cristallisé présentant une taille de grains supérieure ou égale à 200 µm, comprenant au moins les étapes consistant à: (i) disposer d'un bain liquide formé d'une phase solvant métallique liquide dans laquelle est dispersé de manière homogène du silicium liquide; (ii) immerger dans le bain de l'étape (i), lesdits substrats (1), de manière à ce que chacune des surfaces des substrats (1) devant être revêtues soit au contact du bain liquide, lesdites surfaces étant disposées parallèlement les unes aux autres,et perpendiculairement à l'interface (3) du bain liquide (2) et de l'atmosphère gazeuse (4) contigüe audit bain liquide ou selon un angle d'inclinaison d'au moins 45° par rapport à ladite interface (3); (iii) imposer à l'ensemble de l'étape (ii) des conditions propices à la vaporisation de ladite phase solvant liquide et à l'établissement d'un mouvement de convection naturelle du bain liquide au voisinage des surfaces à revêtir des substrats maintenus en position fixe; et (iv) récupérer les substrats revêtus de la couche de silicium cristallisé formée à l'issue de l'étape (iii).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: French (FR)
Filing Language: French (FR)