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1. (WO2013050257) PHOTOVOLTAIC MULTI-JUNCTION SOLAR CELL
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/050257    International Application No.:    PCT/EP2012/068602
Publication Date: 11.04.2013 International Filing Date: 21.09.2012
IPC:
H01L 31/078 (2012.01)
Applicants: EWE-FORSCHUNGSZENTRUM FÜR ENERGIETECHNOLOGIE E. V. [DE/DE]; Carl-von-Ossietzky-Straße 15 26129 Oldenburg (DE) (For All Designated States Except US).
VON MAYDELL, Karsten [DE/DE]; (DE) (US only).
LACOMBE, Jürgen [DE/DE]; (DE) (US only).
AGERT, Carsten [DE/DE]; (DE) (US only)
Inventors: VON MAYDELL, Karsten; (DE).
LACOMBE, Jürgen; (DE).
AGERT, Carsten; (DE)
Agent: DICKER, Jochen; Lemcke, Brommer & Partner Bismarckstrasse 16 76133 Karlsruhe (DE)
Priority Data:
10 2011 115 028.9 07.10.2011 DE
Title (DE) PHOTOVOLTAISCHE MEHRFACH-SOLARZELLE
(EN) PHOTOVOLTAIC MULTI-JUNCTION SOLAR CELL
(FR) CELLULE SOLAIRE MULTIJONCTION PHOTOVOLTAÏQUE
Abstract: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft eine photovoltaische Mehrfach-Solarzelle, umfassend zumindest eine obere (1) und eine untere (2) Teilzelle, wobei ausgehend von einer für den Lichteinfall ausgebildeten Vorderseite der Mehrfach-Solarzelle zunächst die obere Teilzelle (1) angeordnet ist, welche als pin-Struktur ausgebildet ist, mit einer p-dotierten p-Schicht (3), einer n-dotierten n-Schicht (5) und einer zwischen p- und n-Schicht angeordneten intrinsischen i-Schicht (4), wobei p-, i- und n-Schicht jeweils als amorphe Siliziumschichten, gegebenenfalls mit weiteren Stoffen, ausgebildet sind und wobei weiterhin unterhalb der oberen Teilzelle, gegebenenfalls unter Zwischenschaltung einer oder mehrere Zwischenschichten, die untere Teilzelle (2) angeordnet ist, welche in einem der oberen Teilzelle zugewandten Bereich einen p-dotieren Emitterbereich (6) und in einem der oberen Teilzelle abgewandten Bereich einen n-dotierten Basisbereich (7) aufweist. Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass zumindest der Basisbereich (7) der unteren Teilzelle (1) in einer kristallinen Siliziumschicht ausgebildet ist.
(EN)The invention relates to a photovoltaic multi-junction solar cell, comprising at least one upper (1) sub-cell and one lower (2) sub-cell. Starting from a front side of the multi-junction solar cell designed for the incidence of light, the upper sub-cell (1) is first arranged, which upper sub-cell is designed as a p-i-n structure having a p-doped p-layer (3), an n-doped n-layer (5), and an intrinsic i-layer (4) arranged between the p-layer and the n-layer. The p-layer, the i-layer, and the n-layer are each designed as amorphous silicon layers, optionally comprising additional substances. Furthermore, the lower sub-cell (2) is arranged below the upper sub-cell, one or more intermediate layers optionally being arranged therebetween, which lower sub-cell has a p-doped emitter region (6) in a region facing the upper sub-cell and an n-doped base region (7) in a region facing away from the upper sub-cell. The invention is characterized in that at least the base region (7) of the lower sub-cell (1) is formed in a crystalline silicon layer.
(FR)L'invention concerne une cellule solaire multijonction photovoltaïque comprenant au moins une sous-cellule supérieure et une sous-cellule inférieure. En partant d'un côté avant de la cellule solaire multijonction destiné à recevoir la lumière incidente, la sous-cellule supérieure se présente en premier, sous la forme d'une structure pin comportant une couche p dopée p, une couche n dopée n et une couche i intrinsèque située entre la couche p et la couche n, les couches p, i et n étant toutes des couches de silicium amorphe, comprenant éventuellement d'autres substances. La sous-cellule inférieure est disposée sous la sous-cellule supérieure, une ou plusieurs couches intermédiaires étant éventuellement intercalées entre les deux, ladite sous-cellule inférieure présentant dans une région faisant face à la sous-cellule supérieure une région émettrice dopée p et dans une région opposée à la sous-cellule supérieure une région de base dopée n. L'invention se caractérise en ce qu'au moins la région de base de la sous-cellule inférieure est formée dans une couche de silicium cristallin.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)