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1. (WO2013049817) OPTO-ELECTRICAL DEVICES WITH REDUCED EFFICIENCY DROOP AND FORWARD VOLTAGE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/049817    International Application No.:    PCT/US2012/058308
Publication Date: 04.04.2013 International Filing Date: 01.10.2012
IPC:
H01L 33/04 (2010.01)
Applicants: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA [US/US]; 1111 Franklin Street 12th Floor Oakland, California 94607 (US) (For All Designated States Except US).
NAKAMURA, Shuji [US/US]; (US) (US only).
DENBAARS, Steven P. [US/US]; (US) (US only).
TANAKA, Shinichi [JP/US]; (US) (US only).
FEEZELL, Daniel F. [US/US]; (US) (US only).
ZHAO, Yuji [CN/US]; (US) (US only).
PAN, Chih-Chien [--/US]; (US) (US only).
VAN DE WALLE, Christian G. [BE/US]; (US) (US only).
WU, Feng [CN/US]; (US) (US only).
YAN, Qimin [CN/US]; (US) (US only)
Inventors: NAKAMURA, Shuji; (US).
DENBAARS, Steven P.; (US).
TANAKA, Shinichi; (US).
FEEZELL, Daniel F.; (US).
ZHAO, Yuji; (US).
PAN, Chih-Chien; (US).
VAN DE WALLE, Christian G.; (US).
WU, Feng; (US).
YAN, Qimin; (US)
Agent: GATES, George H.; Gates & Cooper LLP 6701 Center Drive West Suite 1050 Los Angeles, California 90045 (US)
Priority Data:
61/541,756 30.09.2011 US
61/550,736 24.10.2011 US
Title (EN) OPTO-ELECTRICAL DEVICES WITH REDUCED EFFICIENCY DROOP AND FORWARD VOLTAGE
(FR) DISPOSITIFS OPTO-ÉLECTRIQUES À AFFAISSEMENT DU RENDEMENT ET TENSION DIRECTE RÉDUITS
Abstract: front page image
(EN)Device structures and methods of fabrication for Group-Ill nitride light emitting diodes (LEDs) that reduce efficiency droop and forward voltage. These include Group-Ill nitride LEDs comprised of GaN thin films grown by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) on {20-2-1} semipolar GaN substrates, as well as Group-Ill nitride LEDs comprised of quantum well (QW) active regions having graded barriers that are beneficial for devices having more than three QWs, such as compositionally step-graded (CSG) InGaN barriers. These also include Group-Ill nitride LEDs having n-type superlattice layers located below the QW active regions, and p-type superlattice layers located above the QW active regions.
(FR)L'invention porte sur des structures de dispositif et sur des procédés de fabrication pour des diodes électroluminescentes (DEL) au nitrure du groupe III qui réduisent l'affaissement du rendement et la tension directe. Celles-ci comprennent des DEL au nitrure du groupe III constituées de couches minces de GaN amenées à croître par dépôt chimique en phase vapeur d'organométalliques (MOCVD) sur des substrats en GaN semi-polaire {20-2-1}, ainsi que des DEL au nitrure du groupe III constituées de régions actives à puits quantique (QW) ayant des barrières graduelles qui sont bénéfiques pour des dispositifs comprenant plus de trois QW, tels que des barrières InGaN à graduation de composition par échelons (CSG). Celles-ci comprennent également des DEL au nitrure du groupe III ayant des couches de super-réseau du type n placées au-dessous des régions actives QW, et des couches de super-réseau du type p placées au-dessus des régions actives QW.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)