WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2013049811) METHOD FOR MANUFACTURING AND MAGNETIC DEVICES HAVING DOUBLE TUNNEL BARRIERS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/049811    International Application No.:    PCT/US2012/058294
Publication Date: 04.04.2013 International Filing Date: 01.10.2012
IPC:
H01L 43/12 (2006.01), G11C 11/15 (2006.01)
Applicants: EVERSPIN TECHNOLOGIES, INC. [--/US]; 1300 N. Alma School Road Chandler, AZ 85224 (US) (For All Designated States Except US)
Inventors: AGGARWAL, Sanjev; (US).
NAGEL, Kerry; (US).
JANESKY, Jason; (US)
Agent: KOCH, William, E.; 7010 E. Cochise Road Scottsdale, AZ 85253 (US)
Priority Data:
13/250,361 30.09.2011 US
Title (EN) METHOD FOR MANUFACTURING AND MAGNETIC DEVICES HAVING DOUBLE TUNNEL BARRIERS
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION ET DISPOSITIFS MAGNÉTIQUES AYANT DES DOUBLES BARRIÈRES TUNNELS
Abstract: front page image
(EN)A dual tunnel barrier magnetic element has a free magnetic layer positioned between first and second tunnel barriers and an electrode over the second tunnel barrier. A two step etch process allows for forming an encapsulation material on a side wall of the electrode and the second tunnel barrier subsequent to the first etch for preventing damage to the first tunnel barrier when performing the second etch to remove a portion of the free layer.
(FR)La présente invention porte sur un élément magnétique à double barrière de tunnel, qui a une couche magnétique libre positionnée entre des première et seconde barrières tunnels et une électrode sur la seconde barrière tunnel. Un procédé de gravure en deux étapes permet la formation d'une matière d'encapsulation sur une paroi latérale de l'électrode et la seconde barrière tunnel à la suite de la première gravure pour empêcher un endommagement de la première barrière tunnel lors de la réalisation de la seconde gravure pour retirer une partie de la couche libre.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)