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1. (WO2013049694) PLASMA TUNING RODS IN MICROWAVE PROCESSING SYSTEMS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/049694    International Application No.:    PCT/US2012/058088
Publication Date: 04.04.2013 International Filing Date: 28.09.2012
IPC:
H01J 37/32 (2006.01)
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; Akasaka Biz Tower 3-1 Akasaka 5-chome, Minato-ku Tokyo, 107-6325 (JP).
TOKYO ELECTRON U.S. HOLDINGS, INC. [US/US]; 2400 Grove Boulevard Austin, TX 78741 (US) (JP only)
Inventors: ZHAO, Jianping; (US).
CHEN, Lee; (US).
FUNK, Merritt; (US).
IWAO, Toshihiko; (JP).
VENTZEK, Peter; (US)
Agent: DAVIDSON, Kristi, L.; Wood, Herron & Evans, LLP 2700 Carew Tower 441 Vine Street Cincinnati, Ohio 45202 (US)
Priority Data:
13/249,485 30.09.2011 US
Title (EN) PLASMA TUNING RODS IN MICROWAVE PROCESSING SYSTEMS
(FR) BARREAUX D'ACCORD DE PLASMA DANS DES SYSTÈMES DE TRAITEMENT PAR MICRO-ONDES
Abstract: front page image
(EN)The invention provides a plurality of plasma tuning rod subsystems. The plasma tuning rod subsystems can comprise one or more microwave cavities configured to couple electromagnetic (EM) energy in a desired EM wave mode to a plasma by generating resonant microwave energy in one or more plasma tuning rods within and/or adjacent to the plasma. One or more microwave cavity assemblies can be coupled to a process chamber, and can comprise one or more tuning spaces/cavities. Each tuning space/cavity can have one or more plasma tuning rods coupled thereto. Some of the plasma tuning rods can be configured to couple the EM energy from one or more of the resonant cavities to the process space within the process chamber and thereby create uniform plasma within the process space.
(FR)L'invention concerne une pluralité de sous-systèmes de barreaux d'accord de plasma, pouvant comprendre une ou plusieurs cavités à micro-ondes configurées pour coupler une énergie électromagnétique (EM) dans un mode souhaité d'ondes EM à un plasma en générant une énergie de micro-ondes résonantes dans un ou plusieurs barreaux d'accord de plasma au sein et / ou au voisinage du plasma. Un ou plusieurs ensembles cavités à micro-ondes peuvent être couplés à une chambre de traitement, et peuvent comporter un ou plusieurs espaces / cavités d'accord. Chaque espace / cavité d'accord peut être doté d'un ou plusieurs barreaux d'accord de plasma couplés à celui-ci. Certains des barreaux d'accord de plasma peuvent être configurés pour coupler l'énergie EM provenant d'une ou plusieurs des cavités résonantes à l'espace de traitement à l'intérieur de la chambre de traitement et pour créer ainsi un plasma uniforme à l'intérieur de l'espace de traitement.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)