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1. (WO2013049421) LIGHT EMITTING DEVICES HAVING LIGHT COUPLING LAYERS WITH RECESSED ELECTRODES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/049421    International Application No.:    PCT/US2012/057669
Publication Date: 04.04.2013 International Filing Date: 27.09.2012
IPC:
H01L 33/30 (2010.01), H01L 33/22 (2010.01)
Applicants: TOSHIBA TECHNO CENTER, INC. [JP/JP]; 1-1-1, Shibaura 1-chome Minato-ku, Tokyo 105-8001 (JP) (For All Designated States Except US).
LIN, Chao-kun [US/US]; (US) (US only).
YAN, Li [CN/US]; (US) (US only).
CHUANG, Chih-wei [--/US]; (US) (US only)
Inventors: LIN, Chao-kun; (US).
YAN, Li; (US).
CHUANG, Chih-wei; (US)
Priority Data:
13/249,196 29.09.2011 US
Title (EN) LIGHT EMITTING DEVICES HAVING LIGHT COUPLING LAYERS WITH RECESSED ELECTRODES
(FR) DISPOSITIFS ÉLECTROLUMINESCENTS CONTENANT DES COUCHES DE COUPLAGE DE LUMIÈRE POURVUES D'ÉLECTRODES CREUSES
Abstract: front page image
(EN)A light emitting device comprises a first layer of an n-type semiconductor material, a second layer of a p-type semiconductor material, and an active layer between the first layer and the second layer. A light coupling structure is disposed adjacent to one of the first layer and the second layer. In some cases, the light coupling structure is disposed adjacent to the first layer. An orifice formed in the light coupling structure extends to the first layer. An electrode formed in the orifice is in electrical communication with the first layer.
(FR)Un dispositif électroluminescent comprend une première couche en un matériau semi-conducteur de type n, une deuxième couche en un matériau semi-conducteur de type p et une couche active située entre les deux premières couches. Une structure de couplage de lumière est disposée à côté de la première ou de la deuxième couche. Dans certains cas, la structure de couplage de lumière est disposée à côté de la première couche. Un orifice formé dans la structure de couplage de lumière s'étend vers la première couche. Une électrode formée dans l'orifice est en communication électrique avec la première couche.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)