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1. (WO2013049416) LIGHT EMITTING REGIONS FOR USE WITH LIGHT EMITTING DEVICES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/049416    International Application No.:    PCT/US2012/057663
Publication Date: 04.04.2013 International Filing Date: 27.09.2012
IPC:
H01L 33/22 (2010.01), H01L 33/30 (2010.01)
Applicants: TOSHIBA TECHNO CENTER, INC. [JP/JP]; 1-1-1, Shibaura 1-chome Minato-ku, Tokyo 105-8001 (JP) (For All Designated States Except US).
RAMER, Jeff [US/US]; (US) (US only).
TING, Steve [US/US]; (US) (US only)
Inventors: RAMER, Jeff; (US).
TING, Steve; (US)
Priority Data:
13/249,146 29.09.2011 US
Title (EN) LIGHT EMITTING REGIONS FOR USE WITH LIGHT EMITTING DEVICES
(FR) RÉGIONS ÉLECTROLUMINESCENTES DESTINÉES À ÊTRE UTILISÉES AVEC DES DISPOSITIFS ÉLECTROLUMINESCENTS
Abstract: front page image
(EN)A light emitting device comprises a first layer having an n-type Group III-V semiconductor, a second layer adjacent to the first layer, the second layer comprising an active material that generates light upon the recombination of electrons and holes. The active material in some cases has one or more V-pits at a density between about 1 V-pit/μm2 and 30 V-pit/μm2. The light emitting device includes a third layer adjacent to the second layer, the third layer comprising a p-type Group III-V semiconductor.
(FR)Un dispositif électroluminescent comprend une première couche contenant un semi-conducteur du groupe III-V de type n, ainsi qu'une deuxième couche adjacente à la première et contenant un matériau actif produisant une lumière lors de la recombinaison d'électrons et de trous. Dans certains cas, le matériau actif comporte une ou plusieurs cuvettes en V à une densité comprise entre environ 1 cuvette en V/μm2 et 30 cuvettes en V/μm2. Le dispositif électroluminescent comprend également une troisième couche adjacente à la deuxième couche et contenant un semi-conducteur du groupe III-V de type p.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)