WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2013049216) METHOD FOR FORMING DIFFUSION REGIONS IN A SILICON SUBSTRATE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/049216    International Application No.:    PCT/US2012/057350
Publication Date: 04.04.2013 International Filing Date: 26.09.2012
IPC:
H01L 31/042 (2006.01), H01L 31/0216 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01)
Applicants: SUNPOWER CORPORATION [US/US]; 77 Rio Robles San Jose, CA 95134 (US)
Inventors: WU, Kahn, C.; (US).
KRAFT, Steven, M.; (US).
LOSCUTOFF, Paul; (US).
MOLESA, Steve, Edward; (US)
Agent: VINCENT, Lester, J.; Blakely Sokoloff Taylor & Zafman LLP 1279 Oakmead Parkway Sunnyvale, CA 94085 (US)
Priority Data:
13/250,594 30.09.2011 US
Title (EN) METHOD FOR FORMING DIFFUSION REGIONS IN A SILICON SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ POUR FORMER DES RÉGIONS DE DIFFUSION DANS UN SUBSTRAT DE SILICIUM
Abstract: front page image
(EN)A method of manufacturing solar cells is disclosed. The method comprises depositing an etch-resistant dopant material on a silicon substrate, the etch-resistant dopant material comprising a dopant source, forming a cross-linked matrix in the etch-resistant dopant material using a non-thermal cure of the etch-resistant dopant material, and heating the silicon substrate and the etch-resistant dopant material to a temperature sufficient to cause the dopant source to diffuse into the silicon substrate.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication de cellules solaires. Le procédé comprend le dépôt d'un matériau dopant résistant à la gravure sur un substrat de silicium, le matériau dopant résistant à la gravure comprenant une source de dopant, la formation d'une matrice réticulée dans le matériau dopant résistant à la gravure en utilisant un durcissement non thermique du matériau dopant résistant à la gravure, et le chauffage du substrat de silicium et du matériau dopant résistant à la gravure à une température suffisante pour amener la source de dopant à diffuser dans le substrat de silicium.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)