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1. (WO2013049008) NANOWIRE SIZED OPTO-ELECTRONIC STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/049008    International Application No.:    PCT/US2012/057029
Publication Date: 04.04.2013 International Filing Date: 25.09.2012
IPC:
H01L 33/02 (2010.01), H01L 33/10 (2010.01)
Applicants: GLO AB [SE/SE]; Scheelevägen 17 Betahuset 6 Ideon Science Park S-223 70 Lund (SE)
Inventors: LÖWGREN, Truls; (US).
HASNAIN, Ghulam; (US).
GARDNER, Nathan; (US)
Agent: RADOMSKY, Leon; The Marbury Law Group, PLLC 11800 Sunrise Valley Drive 15th Floor Reston, Virginia 20191 (US)
Priority Data:
61/539,117 26.09.2011 US
13/251,555 03.10.2011 US
Title (EN) NANOWIRE SIZED OPTO-ELECTRONIC STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) STRUCTURE OPTOÉLECTRONIQUE DE LA TAILLE D'UN NANOFIL ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract: front page image
(EN)An opto-electric structure includes a plurality of nano elements arranged side by side on a support layer, where each nano element includes at least a first conductivity type semiconductor nano sized core, and where the core and a second conductivity type semiconductor form a pn or pin junction. A first electrode layer that extends over the plurality of nano elements and is in electrical contact with at least a portion of the second conductivity type semiconductor, and a mirror provided on a second conductivity type semiconductor side of the structure.
(FR)L'invention a trait à une structure optoélectrique qui comprend une pluralité de nanoéléments disposés côte à côte sur une couche support, chaque nanoélément comportant au moins un cœur nanométrique de semi-conducteur qui a un premier type de conductivité, et ledit cœur formant, avec un semi-conducteur ayant un second type de conductivité, une jonction PN ou PIN. Une première couche d'électrode s'étend sur la pluralité de nanoéléments et est en contact électrique avec tout ou partie du semi-conducteur ayant un second type de conductivité, et un miroir se trouve sur la structure, du côté du semi-conducteur ayant un second type de conductivité.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)