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1. (WO2013048842) CROSS-SECTIONAL DILATION MODE RESONATORS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/048842    International Application No.:    PCT/US2012/056197
Publication Date: 04.04.2013 International Filing Date: 20.09.2012
Chapter 2 Demand Filed:    16.07.2013    
IPC:
H03H 9/24 (2006.01), H03H 9/02 (2006.01), H03H 9/46 (2006.01)
Applicants: QUALCOMM MEMS TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714 (US) (For All Designated States Except US).
ZUO, Chengjie [CN/US]; (US) (US only).
YUN, Changhan [US/US]; (US) (US only).
LO, Chi Shun [GB/US]; (US) (US only).
ALLEN, Wesley Nathaniel [US/US]; (US) (US only).
VELEZ, Mario Francisco [US/US]; (US) (US only).
KIM, Jonghae [US/US]; (US) (US only)
Inventors: ZUO, Chengjie; (US).
YUN, Changhan; (US).
LO, Chi Shun; (US).
ALLEN, Wesley Nathaniel; (US).
VELEZ, Mario Francisco; (US).
KIM, Jonghae; (US)
Agent: GRIFFITH, John, F.; WEAVER AUSTIN VILLENEUVE & SAMPSON LLP P.O. Box 70250 Oakland, California 94612-0250 (US).
DONNELLY, Kevin M.; Weaver Austin Villeneuve & Sampson LLP P.O. Box 70250 Oakland, California 94612-0250 (US)
Priority Data:
61/541,546 30.09.2011 US
13/295,970 14.11.2011 US
Title (EN) CROSS-SECTIONAL DILATION MODE RESONATORS
(FR) RÉSONATEURS VIBRANT SELON UN MODE D'EXTENSION EN SECTION TRANSVERSALE
Abstract: front page image
(EN)Electromechanical systems dilation mode resonator (DMR) structures are disclosed. The DMR includes a first electrode layer, a second electrode layer, and a piezoelectric layer formed of a piezoelectric material. The piezoelectric layer has dimensions including a lateral distance (D), in a plane of an X axis and a Y axis perpendicular to the X axis, and a thickness (T), along a Z axis perpendicular to the X axis and the Y axis. A numerical ratio of the thickness and the lateral distance, T/D, is configured to provide a mode of vibration of the piezoelectric layer with displacement along the Z axis and along the plane of the X axis and the Y axis responsive to a signal provided to one or more of the electrodes. Ladder filter circuits can be constructed with DMRs as series and/or shunt elements, and the resonators can have spiral configurations.
(FR)L'invention concerne des structures résonateurs vibrant en mode d'extension (DMR) en tant que systèmes électromécaniques. Le résonateur vibrant en mode d'extension selon l'invention comprend une première couche électrode, une deuxième couche électrode, ainsi qu'une couche piézoélectrique constituée d'un matériau piézoélectrique. La couche piézoélectrique présente des dimensions comprenant une distance latérale (D), dans le plan d'un axe X et d'un axe Y perpendiculaire à l'axe X, et une épaisseur (T), le long d'un axe Z perpendiculaire à l'axe X et à l'axe Y. Un rapport numérique de l'épaisseur et de la distance latérale, T/D, est configuré pour fournir un mode de vibration de la couche piézoélectrique avec déplacement le long de l'axe Z et le long du plan de l'axe X et de l'axe Y en réponse à un signal fourni à une ou plusieurs des électrodes. Des circuits de filtre en échelle peuvent être réalisés avec des résonateurs DMR montés en série et/ou en parallèle et les résonateurs peuvent présenter des configurations en spirale.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)