WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2013048834) METHODS OF CONTINUOUSLY WET ETCHING A PATTERNED SUBSTRATE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/048834    International Application No.:    PCT/US2012/055997
Publication Date: 04.04.2013 International Filing Date: 19.09.2012
IPC:
C23F 1/02 (2006.01), C23F 1/08 (2006.01), C23F 1/46 (2006.01), H05K 3/06 (2006.01), C23F 1/30 (2006.01), H01L 21/3213 (2006.01)
Applicants: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY [US/US]; 3M Center Post Office Box 33427 Saint Paul, Minnesota 55133-3427 (US) (For All Designated States Except US).
TOKIE, Jeffrey, H. [US/US]; (US) (US only).
WOODY, Joseph, W., V. [US/US]; (US) (US only).
LYNCH, Thomas, M. [US/US]; (US) (US only).
LENTZ, Daniel, M. [US/US]; (US) (US only).
DAVIDSON, Robert, S. [US/US]; (US) (US only).
MORAN, Cristin, E. [US/US]; (US) (US only).
ZU, Lijun [CN/US]; (US) (US only)
Inventors: TOKIE, Jeffrey, H.; (US).
WOODY, Joseph, W., V.; (US).
LYNCH, Thomas, M.; (US).
LENTZ, Daniel, M.; (US).
DAVIDSON, Robert, S.; (US).
MORAN, Cristin, E.; (US).
ZU, Lijun; (US)
Agent: CROOKS, Stephen, L.; 3M Center Office of Intellectual Property Counsel Post Office Box 33427 Saint Paul, MN 55133-3427 (US)
Priority Data:
61/541,553 30.09.2011 US
Title (EN) METHODS OF CONTINUOUSLY WET ETCHING A PATTERNED SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉS DE GRAVURE HUMIDE EN CONTINU D'UN SUBSTRAT À MOTIF
Abstract: front page image
(EN)A method for patterning a substrate. The method includes wet etching a metalized substrate within a reaction vessel by contacting the metalized surface with oxidizing and metal complexing agents to remove metal from an unpatterned region. The method further includes maintaining the concentrations of the oxidizing and metal complexing agents in an etchant bath by delivering a replenishment feed of each of the oxidizing and metal complexing agents to the etchant bath. The method further includes and maintaining the concentration of the metal in the etchant bath by discharging an amount of the etchant bath from the reaction vessel. The first and second replenishment feed rates and the etchant bath removal rate are determined based at least in part on a rate that metal etched from the substrate enters the etchant bath.
(FR)L'invention concerne un procédé de formation d'un motif sur un substrat. Le procédé comprend la gravure humide d'un substrat métallisé à l'intérieur d'un récipient de réaction par mise en contact de la surface métallisée avec des agents oxydants et complexant de métal pour éliminer le métal à partir d'une région non à motif. Le procédé comprend en outre le maintien des concentrations des agents oxydants et complexant de métal dans un bain d'agent de gravure par administration d'une alimentation de complément de chacun des agents oxydants et complexant de métal au bain d'agent de gravure. Le procédé comprend en outre le maintien de la concentration du métal dans le bain d'agent de gravure par décharge d'une quantité du bain d'agent de gravure à partir de récipient réactionnel. Les première et seconde vitesses d'alimentation de complément et la vitesse de retrait du bain d'agent de gravure sont déterminées sur la base au moins en partie d'une vitesse suivant laquelle le métal attaqué à partir du substrat pénètre dans le bain d'agent de gravure.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)